Справочник MOSFET. AP9561GJ

 

AP9561GJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9561GJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для AP9561GJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9561GJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  ape
 ap9561gj.pdf pdf_icon

AP9561GJ

AP9561GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance D BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 16m Fast Switching Characteristic ID -45AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9561 series are from Advanced Power innovated design and siliconGDprocess technology to achieve th

 0.1. Size:96K  ape
 ap9561gh-hf ap9561gj-hf.pdf pdf_icon

AP9561GJ

AP9561GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 16m Fast Switching Characteristic ID -45AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGDdesigner with the best combination of fast switching,

 7.1. Size:93K  ape
 ap9561gp-hf.pdf pdf_icon

AP9561GJ

AP9561GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 16m Fast Switching Characteristic ID -45AG RoHS CompliantSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device des

 7.2. Size:93K  ape
 ap9561gm-hf.pdf pdf_icon

AP9561GJ

AP9561GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 18mD Fast Switching Characteristic ID -9.4AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP03N70J , AP3P9R0H , AP3P9R0J , AP3P9R0JB , AP3P9R0P , AP6679BGH , AP6679BGJ , AP6679BGJB , 75N75 , AP70T03GJ , AP70T03GJB , AP16N50I , AP0904GH , AP0904GJB , AP75T10GI , AP60T03GH , AP01N60J .

History: IXFR64N60P

 

 
Back to Top

 


 
.