AP9561GJ - описание и поиск аналогов

 

AP9561GJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9561GJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для AP9561GJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9561GJ даташит

 ..1. Size:201K  ape
ap9561gj.pdfpdf_icon

AP9561GJ

AP9561GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance D BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 16m Fast Switching Characteristic ID -45A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP9561 series are from Advanced Power innovated design and silicon G D process technology to achieve th

 0.1. Size:96K  ape
ap9561gh-hf ap9561gj-hf.pdfpdf_icon

AP9561GJ

AP9561GH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 16m Fast Switching Characteristic ID -45A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D designer with the best combination of fast switching,

 7.1. Size:93K  ape
ap9561gp-hf.pdfpdf_icon

AP9561GJ

AP9561GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower On-resistance BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 16m Fast Switching Characteristic ID -45A G RoHS Compliant S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device des

 7.2. Size:93K  ape
ap9561gm-hf.pdfpdf_icon

AP9561GJ

AP9561GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -40V D D D Lower Gate Charge RDS(ON) 18m D Fast Switching Characteristic ID -9.4A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

Другие MOSFET... AP03N70J , AP3P9R0H , AP3P9R0J , AP3P9R0JB , AP3P9R0P , AP6679BGH , AP6679BGJ , AP6679BGJB , 18N50 , AP70T03GJ , AP70T03GJB , AP16N50I , AP0904GH , AP0904GJB , AP75T10GI , AP60T03GH , AP01N60J .

History: CJL8205A | AP03N90I | AP4407GM | AP9973GJ | 2SK2371 | AP1332GEU | AP2308GEN

 

 

 

 

↑ Back to Top
.