AP40T10GI - описание и поиск аналогов

 

AP40T10GI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP40T10GI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для AP40T10GI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP40T10GI даташит

 ..1. Size:212K  ape
ap40t10gi.pdfpdf_icon

AP40T10GI

AP40T10GI-HF RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 36m Fast Switching Characteristic ID3 40A G S Description AP40T10 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on- G D resistance

 0.1. Size:94K  ape
ap40t10gi-hf.pdfpdf_icon

AP40T10GI

AP40T10GI-HF RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 100V Single Drive Requirement RDS(ON) 36m Fast Switching Characteristic ID 40A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on- G D

 6.1. Size:55K  ape
ap40t10gh-hf.pdfpdf_icon

AP40T10GI

AP40T10GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 100V D Single Drive Requirement RDS(ON) 35m Fast Switching Characteristic ID 39A G RoHS Compliant S Description G D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with S TO-252(H) the best combination of fast switching, ru

 6.2. Size:93K  ape
ap40t10gr.pdfpdf_icon

AP40T10GI

AP40T10GR RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 100V D Single Drive Requirement RDS(ON) 35m Fast Switching Characteristic ID 40A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G ruggedized device design, low on-resist

Другие MOSFET... AP0904GJB , AP75T10GI , AP60T03GH , AP01N60J , AP9563GH , AP9563GJ , AP9971GP , AP9971GS , IRF1405 , AP2764AI-A , AP20N15GI , AP9567GH , AP9987GH , AP9987GJ , AP9987GJV , AP9997AGH , AP4407I .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.