Справочник MOSFET. AP40T10GI

 

AP40T10GI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP40T10GI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AP40T10GI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP40T10GI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  ape
ap40t10gi.pdfpdf_icon

AP40T10GI

AP40T10GI-HFRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 36m Fast Switching Characteristic ID3 40AGSDescriptionAP40T10 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest possible on-GDresistance

 0.1. Size:94K  ape
ap40t10gi-hf.pdfpdf_icon

AP40T10GI

AP40T10GI-HFRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 100V Single Drive Requirement RDS(ON) 36m Fast Switching Characteristic ID 40AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggedized device design, low on-GD

 6.1. Size:55K  ape
ap40t10gh-hf.pdfpdf_icon

AP40T10GI

AP40T10GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 100VD Single Drive Requirement RDS(ON) 35m Fast Switching Characteristic ID 39AG RoHS CompliantSDescriptionGDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withSTO-252(H)the best combination of fast switching, ru

 6.2. Size:93K  ape
ap40t10gr.pdfpdf_icon

AP40T10GI

AP40T10GRRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 100VD Single Drive Requirement RDS(ON) 35m Fast Switching Characteristic ID 40AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Gruggedized device design, low on-resist

Другие MOSFET... AP0904GJB , AP75T10GI , AP60T03GH , AP01N60J , AP9563GH , AP9563GJ , AP9971GP , AP9971GS , NCEP15T14 , AP2764AI-A , AP20N15GI , AP9567GH , AP9987GH , AP9987GJ , AP9987GJV , AP9997AGH , AP4407I .

History: NTMFS4927N | SI2318CDS-T1-GE3

 

 
Back to Top

 


 
.