AP01L60J - аналоги и даташиты транзистора

 

AP01L60J - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP01L60J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для AP01L60J

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP01L60J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  ape
 ap01l60j.pdf pdf_icon

AP01L60J

AP01L60H/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600VD Fast Switching Characteristics RDS(ON) 12 Simple Drive Requirement ID 1AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionThe TO-252 package is widely preferred for commercial-industrialGsurface mount applications and suited

 0.1. Size:62K  ape
 ap01l60h-a-hf ap01l60j-a-hf.pdf pdf_icon

AP01L60J

AP01L60H/J-A-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Rated BVDSS 650VD Fast Switching Speed RDS(ON) 12 Simple Drive Requirement ID 1AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionThe TO-252 package is widely preferred for commercial-industrialGsurface mount applications and suited for AC/

 0.2. Size:62K  ape
 ap01l60h-h ap01l60j-h.pdf pdf_icon

AP01L60J

AP01L60H/J-HRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Rated BVDSS 700VD Fast Switching Speed RDS(ON) 12 Simple Drive Requirement ID 1AGSDescriptionThe TO-252 package is universally preferred for all commercial-industrialGsurface mount applications and suited for AC/DC converters. The DSTO

 7.1. Size:86K  ape
 ap01l60t-h-hf.pdf pdf_icon

AP01L60J

AP01L60T-H-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 700VD Fast Switching Characteristics RDS(ON) 13.5 Simple Drive Requirement ID 160mAG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resistan

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP02N40H , AP04N70BI-H , AP2762IN-A , AP3990I , AP40P03GI , AP9971GI , AP9972GI , AP01L60H , IRF730 , AP03N70I , AP9578GH , AP9870GH , AP9962AGP , AP9973GH , AP9973GJ , AP15N03GH , AP03N90I .

History: IRFP17N50LPBF | IRFR8314 | TJ100F04M3L | TK20A25D | IRFY11N50CMA | SIL2322A

 

 
Back to Top

 


 
.