AP01L60J - описание и поиск аналогов

 

AP01L60J. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP01L60J

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для AP01L60J

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP01L60J даташит

 ..1. Size:202K  ape
ap01l60j.pdfpdf_icon

AP01L60J

AP01L60H/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600V D Fast Switching Characteristics RDS(ON) 12 Simple Drive Requirement ID 1A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial G surface mount applications and suited

 0.1. Size:62K  ape
ap01l60h-a-hf ap01l60j-a-hf.pdfpdf_icon

AP01L60J

AP01L60H/J-A-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Rated BVDSS 650V D Fast Switching Speed RDS(ON) 12 Simple Drive Requirement ID 1A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial G surface mount applications and suited for AC/

 0.2. Size:62K  ape
ap01l60h-h ap01l60j-h.pdfpdf_icon

AP01L60J

AP01L60H/J-H RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Rated BVDSS 700V D Fast Switching Speed RDS(ON) 12 Simple Drive Requirement ID 1A G S Description The TO-252 package is universally preferred for all commercial-industrial G surface mount applications and suited for AC/DC converters. The D S TO

 7.1. Size:86K  ape
ap01l60t-h-hf.pdfpdf_icon

AP01L60J

AP01L60T-H-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 700V D Fast Switching Characteristics RDS(ON) 13.5 Simple Drive Requirement ID 160mA G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistan

Другие MOSFET... AP02N40H , AP04N70BI-H , AP2762IN-A , AP3990I , AP40P03GI , AP9971GI , AP9972GI , AP01L60H , AO4468 , AP03N70I , AP9578GH , AP9870GH , AP9962AGP , AP9973GH , AP9973GJ , AP15N03GH , AP03N90I .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.