AP3P7R0EM - описание и поиск аналогов

 

AP3P7R0EM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP3P7R0EM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.5 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP3P7R0EM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3P7R0EM даташит

 ..1. Size:188K  ape
 ap3p7r0em.pdf pdf_icon

AP3P7R0EM

AP3P7R0EM Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 7m G Ultra Low On-resistance ID3 -15.5A RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KV S Description D D AP3P7R0E series are from Advanced Power innovated design and D D silicon process technology t

 0.1. Size:163K  ape
 ap3p7r0emt.pdf pdf_icon

AP3P7R0EM

AP3P7R0EMT Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 7m Fast Switching Characteristic ID -75A G RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KV S D Description D D AP3P7R0E series are from Advanced Power innovated design and D silicon process technolo

 6.1. Size:205K  ape
 ap3p7r0eh.pdf pdf_icon

AP3P7R0EM

AP3P7R0EH Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 7m G Fast Switching Characteristic ID -75A RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KV S Description AP3P7R0E series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve

 6.2. Size:177K  ape
 ap3p7r0es.pdf pdf_icon

AP3P7R0EM

AP3P7R0ES Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 7m G Fast Switching Characteristic ID -75A RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KV S Description AP3P7R0E series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP18P10GM , AP20T15GM , AP30T10GM , AP3N3R3M , AP3N4R5M , AP3P010M , AP3P028LM , AP3P050M , IRF9540N , AP3P9R0M , AP4024EM , AP4028EM , AP4034GM , AP4407GM , AP4423GM , AP4426GM , AP4438CGM .

History: LSC65R180GT | WMLL020N10HG4 | WM02P160R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.