Справочник MOSFET. AP3P7R0EM

 

AP3P7R0EM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP3P7R0EM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.5 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для AP3P7R0EM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3P7R0EM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  ape
 ap3p7r0em.pdf pdf_icon

AP3P7R0EM

AP3P7R0EMHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 7mG Ultra Low On-resistance ID3 -15.5A RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KVSDescriptionDDAP3P7R0E series are from Advanced Power innovated design andDDsilicon process technology t

 0.1. Size:163K  ape
 ap3p7r0emt.pdf pdf_icon

AP3P7R0EM

AP3P7R0EMTHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 7m Fast Switching Characteristic ID -75AG RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KVSDDescriptionDDAP3P7R0E series are from Advanced Power innovated design andDsilicon process technolo

 6.1. Size:205K  ape
 ap3p7r0eh.pdf pdf_icon

AP3P7R0EM

AP3P7R0EHHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 7mG Fast Switching Characteristic ID -75A RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KVSDescriptionAP3P7R0E series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

 6.2. Size:177K  ape
 ap3p7r0es.pdf pdf_icon

AP3P7R0EM

AP3P7R0ESHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 7mG Fast Switching Characteristic ID -75A RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KVSDescriptionAP3P7R0E series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP18P10GM , AP20T15GM , AP30T10GM , AP3N3R3M , AP3N4R5M , AP3P010M , AP3P028LM , AP3P050M , IRF1010E , AP3P9R0M , AP4024EM , AP4028EM , AP4034GM , AP4407GM , AP4423GM , AP4426GM , AP4438CGM .

History: PSMN4R8-100PSE

 

 
Back to Top

 


 
.