Справочник MOSFET. AP9408AGM

 

AP9408AGM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP9408AGM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12.5 A
   Общий заряд затвора (Qg): 6.5 nC
   Время нарастания (tr): 5 ns
   Выходная емкость (Cd): 190 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для AP9408AGM

 

 

AP9408AGM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  ape
ap9408agm.pdf

AP9408AGM AP9408AGM

AP9408AGM-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30VDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 10mDD Fast Switching Characteristic ID 12.5AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAP9408A series are fro

 0.1. Size:94K  ape
ap9408agm-hf.pdf

AP9408AGM AP9408AGM

AP9408AGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30VDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 10mDD Fast Switching Characteristic ID 12.5AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of

 6.1. Size:143K  ape
ap9408agh.pdf

AP9408AGM AP9408AGM

AP9408AGHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m Fast Switching Characteristic ID 53AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the GDSdesigner with the best combination of fast switching,TO-252(H)ruggedized device desi

 6.2. Size:145K  ape
ap9408agp.pdf

AP9408AGM AP9408AGM

AP9408AGPRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower Gate Charge BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m Fast Switching Characteristic ID 53AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistance a

 6.3. Size:152K  ape
ap9408agi.pdf

AP9408AGM AP9408AGM

AP9408AGIRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Performance BVDSS 30VD Single Drive Requirement RDS(ON) 10m Full Isolation Package ID 53AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistance

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top