AP9408AGM - описание и поиск аналогов

 

AP9408AGM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9408AGM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP9408AGM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9408AGM даташит

 ..1. Size:169K  ape
 ap9408agm.pdf pdf_icon

AP9408AGM

AP9408AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m D D Fast Switching Characteristic ID 12.5A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP9408A series are fro

 0.1. Size:94K  ape
 ap9408agm-hf.pdf pdf_icon

AP9408AGM

AP9408AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m D D Fast Switching Characteristic ID 12.5A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

 6.1. Size:143K  ape
 ap9408agh.pdf pdf_icon

AP9408AGM

AP9408AGH RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m Fast Switching Characteristic ID 53A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S designer with the best combination of fast switching, TO-252(H) ruggedized device desi

 6.2. Size:145K  ape
 ap9408agp.pdf pdf_icon

AP9408AGM

AP9408AGP RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m Fast Switching Characteristic ID 53A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP4453M , AP4800GEM , AP4P018M , AP6679BGM , AP6N021M , AP6N090M , AP6P025M , AP6P090M , IRF530 , AP9410AGM , AP9434GM , AP9467AGM , AP9467GM , AP9470GM , AP9475GM , AP9479GM , AP9487GM .

History: MMF60R360QTH | MMF80R450PTH | IRFS440B | AP99T03GS | 2SK2371 | MMD80R1K2PRH | AP9926GEO

 

 

 

 

↑ Back to Top
.