AP9971AGM. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP9971AGM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для AP9971AGM
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP9971AGM даташит
ap9971agm.pdf
AP9971AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 60V D2 D2 D1 Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m D1 Surface Mount Package ID 5A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 SO-8 Description AP9971A series are from A
ap9971agm-hf.pdf
AP9971AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 60V D2 D2 D1 Single Drive Requirement RDS(ON) 50m D1 Surface Mount Package ID 5A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 SO-8 Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with D2 D1 the best combinat
ap9971agp ap9971ags.pdf
AP9971AGS/P RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 36m Fast Switching Characteristic ID 22A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G TO-220(P) D ruggedized device design
ap9971agd.pdf
AP9971AGD RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D2 Low On-resistance BVDSS 60V D2 D1 Fast Switching Speed RDS(ON) 50m D1 PDIP-8 Package ID 5A G2 S2 PDIP-8 G1 S1 Description D2 D1 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design,
Другие MOSFET... AP6C036M , AP6C072M , AP8N010LM , AP9926GM , AP9936GM , AP9938GEM , AP9960GM , AP9962AGM , 60N06 , AP9971GM , AP9975GM , AP9970GK , AP09T10GK , AP10TN135K , AP30T10GK , AP60WN4K9K , AP6N090K .
History: AP95T10GI | IRFS254B | IPP052NE7N3 | WMP80R1K0S | IXFK60N55Q2 | SiS412DN | WMM80R1K0S
History: AP95T10GI | IRFS254B | IPP052NE7N3 | WMP80R1K0S | IXFK60N55Q2 | SiS412DN | WMM80R1K0S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor







