Справочник MOSFET. AP10P500N

 

AP10P500N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP10P500N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP10P500N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  ape
ap10p500n.pdfpdf_icon

AP10P500N

AP10P500NHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -100VD Small Package Outline RDS(ON) 0.5 Surface Mount Device ID - 1.2AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDescription DAP10P500 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the

 9.1. Size:204K  ape
ap10p230h.pdfpdf_icon

AP10P500N

AP10P230HHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 230m Fast Switching Characteristic ID -8.5AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP10P230 series are from Advanced Power innovated design and GDSsilicon process technology to achieve

 9.2. Size:101K  ape
ap10p10gh j-hf.pdfpdf_icon

AP10P500N

AP10P10GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement BVDSS -100V Lower Gate Charge RDS(ON) 500m Fast Switching Characteristic ID -5.7AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best GDScombination of fast switch

 9.3. Size:201K  ape
ap10p10gj.pdfpdf_icon

AP10P500N

AP10P10GH/J-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS -100V Lower Gate Charge RDS(ON) 500m Fast Switching Characteristic ID -5.7AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best GDScombination of fast switchi

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IXFK21N100F | MMQ60R115PTH | CS12N65FA9H | 4501 | ZVN4525G | MMBF4091 | 4800

 

 
Back to Top

 


 
.