AP10TN135N. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP10TN135N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для AP10TN135N
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP10TN135N даташит
ap10tn135n.pdf
AP10TN135N Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 135m Low Gate Charge ID 3A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G Description D AP10TN135 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the
ap10tn135h.pdf
AP10TN135H Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 135m Fast Switching Characteristic ID 8.1A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G AP10TN135 series are from Advanced Power innovated design and D S TO-252(H) silicon process technology
ap10tn135m.pdf
AP10TN135M Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100V D D Fast Switching Characteristic D RDS(ON) 135m D Low Gate Charge ID 3A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D AP10TN135 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology t
ap10tn135j.pdf
AP10TN135J Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 135m Fast Switching Characteristic ID 8.1A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP10TN135 series are from Advanced Power innovated design and G D S silicon process technology to achieve
Другие MOSFET... AP6N090K , AP6N090LK , AP6P250K , AP04N20GK , APA2N70K , AP18P10GK , AP70SL1K4BK2 , AP10P500N , IRLZ44N , AP2302AGN , AP2304AGN , AP2304GN , AP2306AGEN , AP2316GN , AP2323AGN , AP2323GN , AP2326GN .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor







