Справочник MOSFET. AP10TN135N

 

AP10TN135N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP10TN135N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AP10TN135N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP10TN135N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  ape
 ap10tn135n.pdf pdf_icon

AP10TN135N

AP10TN135NHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 135m Low Gate Charge ID 3AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23 GDescription DAP10TN135 series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the

 5.1. Size:201K  ape
 ap10tn135h.pdf pdf_icon

AP10TN135N

AP10TN135HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 135m Fast Switching Characteristic ID 8.1AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP10TN135 series are from Advanced Power innovated design andDSTO-252(H)silicon process technology

 5.2. Size:222K  ape
 ap10tn135m.pdf pdf_icon

AP10TN135N

AP10TN135MHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100VDD Fast Switching Characteristic D RDS(ON) 135mD Low Gate Charge ID 3AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8Description DAP10TN135 series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology t

 5.3. Size:166K  ape
 ap10tn135j.pdf pdf_icon

AP10TN135N

AP10TN135JHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 135m Fast Switching Characteristic ID 8.1AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP10TN135 series are from Advanced Power innovated design andGDSsilicon process technology to achieve

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP6N090K , AP6N090LK , AP6P250K , AP04N20GK , APA2N70K , AP18P10GK , AP70SL1K4BK2 , AP10P500N , IRFP260N , AP2302AGN , AP2304AGN , AP2304GN , AP2306AGEN , AP2316GN , AP2323AGN , AP2323GN , AP2326GN .

History: MCAC40N10YA | NCEAP4040Q | 2SK293 | APM4010NU | STS4DNF60L | AP9451GG | AOSP32314

 

 
Back to Top

 


 
.