AP2306AGEN - описание и поиск аналогов

 

AP2306AGEN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2306AGEN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 6 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AP2306AGEN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2306AGEN даташит

 ..1. Size:179K  ape
ap2306agen.pdfpdf_icon

AP2306AGEN

AP2306AGEN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30V D Small Outline Package RDS(ON) 50m Surface Mount Device ID 4.1A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to D achieve the lowest possible on-res

 0.1. Size:95K  ape
ap2306agen-hf.pdfpdf_icon

AP2306AGEN

AP2306AGEN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 30V D Small Outline Package RDS(ON) 50m Surface Mount Device ID 4.1A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to D achieve the lowest possible on-res

 6.1. Size:106K  ape
ap2306agn-hf.pdfpdf_icon

AP2306AGEN

AP2306AGN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 30V Lower on-resistance D RDS(ON) 35m Surface mount package ID 5A RoHS Compliant S D SOT-23 G Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques G to achieve the lowest possible on-resistance, extreme

 6.2. Size:848K  cn vbsemi
ap2306agn.pdfpdf_icon

AP2306AGEN

AP2306AGN www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.5 30 4.5 nC 100 % Rg Tested 0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converter D TO-236 (SOT-23)

Другие MOSFET... APA2N70K , AP18P10GK , AP70SL1K4BK2 , AP10P500N , AP10TN135N , AP2302AGN , AP2304AGN , AP2304GN , AO3400 , AP2316GN , AP2323AGN , AP2323GN , AP2326GN , AP2328GN , AP2330GN , AP2338GN , AP2344GN .

History: AP2338GN | AP5600N | AP2344GN

 

 

 

 

↑ Back to Top
.