AP2320GN - описание и поиск аналогов

 

AP2320GN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2320GN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 9.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: SOT23S

Аналог (замена) для AP2320GN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2320GN даташит

 ..1. Size:146K  ape
ap2320gn.pdfpdf_icon

AP2320GN

AP2320GN Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100V D Small Package Outline RDS(ON) 5 Surface Mount Device ID 0.25A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2320 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowe

 0.1. Size:54K  ape
ap2320gn-hf.pdfpdf_icon

AP2320GN

AP2320GN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100V D Small Package Outline RDS(ON) 5 Surface Mount Device ID 0.25A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G D Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resist

 8.1. Size:55K  ape
ap2320n-hf.pdfpdf_icon

AP2320GN

AP2320N-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100V D Small Package Outline RDS(ON) 5 Surface Mount Device ID 0.25A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2320 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lo

 8.2. Size:1420K  cn apm
ap2320mi.pdfpdf_icon

AP2320GN

AP2320MI 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2320MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =8A DS D R

Другие MOSFET... AP3N045EN , AP3P080N , AP3P090N , AP6N090N , AP6P250N , AP2301EN , AP2314GN , AP2318GEN , AON6380 , AP6N2K0EN , AP2308GEN , AP2318BEN , AP15TP1R0Y , AP2604GY , AP2615GEY , AP2617GY , AP2N030EY .

History: APM9928K | AP3P9R0M | AP70T03GJ | AP1A003GMT-HF | 2SK2371 | AP3P9R0P | MMD80R900QZRH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.