AP2320GN. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP2320GN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 9.5 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
Тип корпуса: SOT23S
Аналог (замена) для AP2320GN
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP2320GN даташит
ap2320gn.pdf
AP2320GN Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100V D Small Package Outline RDS(ON) 5 Surface Mount Device ID 0.25A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2320 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowe
ap2320gn-hf.pdf
AP2320GN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100V D Small Package Outline RDS(ON) 5 Surface Mount Device ID 0.25A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G D Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resist
ap2320n-hf.pdf
AP2320N-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100V D Small Package Outline RDS(ON) 5 Surface Mount Device ID 0.25A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2320 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lo
ap2320mi.pdf
AP2320MI 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2320MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =8A DS D R
Другие MOSFET... AP3N045EN , AP3P080N , AP3P090N , AP6N090N , AP6P250N , AP2301EN , AP2314GN , AP2318GEN , AON6380 , AP6N2K0EN , AP2308GEN , AP2318BEN , AP15TP1R0Y , AP2604GY , AP2615GEY , AP2617GY , AP2N030EY .
History: APM9928K | AP3P9R0M | AP70T03GJ | AP1A003GMT-HF | 2SK2371 | AP3P9R0P | MMD80R900QZRH
History: APM9928K | AP3P9R0M | AP70T03GJ | AP1A003GMT-HF | 2SK2371 | AP3P9R0P | MMD80R900QZRH
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720




