Справочник MOSFET. AP6N090Y

 

AP6N090Y Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6N090Y
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6N090Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  ape
 ap6n090y.pdf pdf_icon

AP6N090Y

AP6N090YHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement S BVDSS 60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 90mD Fast Switching Characteristic ID3 3.5AGD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-26 DDescription DAP6N090 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achi

 7.1. Size:178K  ape
 ap6n090k.pdf pdf_icon

AP6N090Y

AP6N090KHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 90mS Fast Switching Characteristic ID3 4.1AD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDescription DAP6N090 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

 7.2. Size:171K  ape
 ap6n090g.pdf pdf_icon

AP6N090Y

AP6N090GHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 90m Simple Drive Requirement ID 2.7AS RoHS Compliant & Halogen-FreeDSOT-89GDescription DAP6N090 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the

 7.3. Size:188K  ape
 ap6n090n.pdf pdf_icon

AP6N090Y

AP6N090NHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Small Package Outline RDS(ON) 90m Surface Mount Device ID 2.5AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23S GDescription DAP6N090 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowes

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: TPCA8107-H | AP20N15AGH-HF | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | IRLZ44PBF

 

 
Back to Top

 


 
.