AP6N090Y - описание и поиск аналогов

 

AP6N090Y. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP6N090Y

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: SOT26

Аналог (замена) для AP6N090Y

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6N090Y даташит

 ..1. Size:210K  ape
ap6n090y.pdfpdf_icon

AP6N090Y

AP6N090Y Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement S BVDSS 60V D Lower Gate Charge RDS(ON) 90m D Fast Switching Characteristic ID3 3.5A G D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-26 D Description D AP6N090 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achi

 7.1. Size:178K  ape
ap6n090k.pdfpdf_icon

AP6N090Y

AP6N090K Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D Lower Gate Charge RDS(ON) 90m S Fast Switching Characteristic ID3 4.1A D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-223 G Description D AP6N090 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve

 7.2. Size:171K  ape
ap6n090g.pdfpdf_icon

AP6N090Y

AP6N090G Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 90m Simple Drive Requirement ID 2.7A S RoHS Compliant & Halogen-Free D SOT-89 G Description D AP6N090 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the

 7.3. Size:188K  ape
ap6n090n.pdfpdf_icon

AP6N090Y

AP6N090N Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D Small Package Outline RDS(ON) 90m Surface Mount Device ID 2.5A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G Description D AP6N090 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowes

Другие MOSFET... AP2318BEN , AP15TP1R0Y , AP2604GY , AP2615GEY , AP2617GY , AP2N030EY , AP2P052Y , AP3N028EY , IRFP250 , AP2906EY , AP2626GY , AP2530GY , AP2530AGY , AP4C205Y , AP2535GEY , AP2622GY , AP6800EY .

History: AP6N090G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.