Справочник MOSFET. AP6N090Y

 

AP6N090Y Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6N090Y
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
 

 Аналог (замена) для AP6N090Y

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6N090Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  ape
ap6n090y.pdfpdf_icon

AP6N090Y

AP6N090YHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement S BVDSS 60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 90mD Fast Switching Characteristic ID3 3.5AGD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-26 DDescription DAP6N090 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achi

 7.1. Size:178K  ape
ap6n090k.pdfpdf_icon

AP6N090Y

AP6N090KHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 90mS Fast Switching Characteristic ID3 4.1AD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDescription DAP6N090 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

 7.2. Size:171K  ape
ap6n090g.pdfpdf_icon

AP6N090Y

AP6N090GHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 90m Simple Drive Requirement ID 2.7AS RoHS Compliant & Halogen-FreeDSOT-89GDescription DAP6N090 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the

 7.3. Size:188K  ape
ap6n090n.pdfpdf_icon

AP6N090Y

AP6N090NHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Small Package Outline RDS(ON) 90m Surface Mount Device ID 2.5AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23S GDescription DAP6N090 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowes

Другие MOSFET... AP2318BEN , AP15TP1R0Y , AP2604GY , AP2615GEY , AP2617GY , AP2N030EY , AP2P052Y , AP3N028EY , STF13NM60N , AP2906EY , AP2626GY , AP2530GY , AP2530AGY , AP4C205Y , AP2535GEY , AP2622GY , AP6800EY .

History: STD7N60M2 | 2SK4067I | TPR65R120M | HGW190N15S | PSMN7R5-25YLC | CEP6086L | OSG60R320FT3ZF

 

 
Back to Top

 


 
.