Справочник MOSFET. AP2626GY

 

AP2626GY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2626GY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.072 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2626GY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  ape
ap2626gy.pdfpdf_icon

AP2626GY

AP2626GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD2 Simple Drive Requirement BVDSS 30VS1D1 Smaller Outline Package RDS(ON) 72mG2 Surface mount package ID 3.3AS2SOT-26G1 RoHS Compliant & Halogen-FreeDescriptionAP2626 series are from Advanced Power innovatedD2D1design and silicon process techn

 0.1. Size:57K  ape
ap2626gy-hf.pdfpdf_icon

AP2626GY

AP2626GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD2 Simple Drive Requirement BVDSS 30VS1D1 Smaller Outline Package RDS(ON) 72mG2 Surface mount package ID 3.3AS2SOT-26G1 RoHS Compliant & Halogen-FreeDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesD2D1to achieve the lo

 9.1. Size:97K  ape
ap2623gy-hf.pdfpdf_icon

AP2626GY

AP2623GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge BVDSS -30VS1D1 Low On-resistance RDS(ON) 170mG2 Surface Mount Package ID - 2AS2 RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-26G1DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs utilized advanced processingtechniques to achieve the lowest poss

 9.2. Size:59K  ape
ap2625gy-hf.pdfpdf_icon

AP2626GY

AP2625GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD2 Low Gate Charge BVDSS -30VS1D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 185mG2 Surface Mount Package ID - 2AS2SOT-26 RoHS Compliant & Halogen-Free G1DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs utilized advanced processingtechniques to achieve the lowest

Другие MOSFET... AP2604GY , AP2615GEY , AP2617GY , AP2N030EY , AP2P052Y , AP3N028EY , AP6N090Y , AP2906EY , STF13NM60N , AP2530GY , AP2530AGY , AP4C205Y , AP2535GEY , AP2622GY , AP6800EY , AP1332GEU , AP2N7002KU .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.