AP2N050G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP2N050G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
Тип корпуса: SOT89
Аналог (замена) для AP2N050G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP2N050G даташит
ap2n050g.pdf
AP2N050G Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Low Gate Charge RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID3 4A S RoHS Compliant & Halogen-Free D SOT-89 G Description D AP2N050 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve th
ap2n050h.pdf
AP2N050H Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D 100% Rg & UIS Test D BVDSS 20V Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID 14.8A G G RoHS Compliant & Halogen-Free S S Description AP4604 seriesare fromAdvanced Power innovated design AP2N050series arefrom Advanced Power innovated
ap2n075en.pdf
AP2N075EN Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 75m Fast Switching Performance ID 3.5A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2N075E series are from Advanced Power innovated design and G silicon process technology to achiev
ap2n030ey.pdf
AP2N030EY Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET S Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 34m D Fast Switching Performance ID3 6.3A G D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-26 D D Description AP2N030E series are from Advanced Power innovated design and G silicon process technology
Другие MOSFET... AP2535GEY , AP2622GY , AP6800EY , AP1332GEU , AP2N7002KU , AP1430GEU6 , AP2N1K2EN1 , AP5N2K2EN1 , 2N60 , AP6N090G , AP9451GG , AP9452GG , AP9T16AGH , AP99T03GS , AP99T03GP , AP9992GR , AP9990GMT-L .
History: APM9926K | MME65R280QRH | AP9962AGM | AP13P15GS | RCD075N19 | STF13NM60ND | AP9962AGP
History: APM9926K | MME65R280QRH | AP9962AGM | AP13P15GS | RCD075N19 | STF13NM60ND | AP9962AGP
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
ac128 transistor datasheet | c2878 transistor | 2sc732 | 2sc1451 replacement | 6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent






