Справочник MOSFET. AP2N050G

 

AP2N050G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2N050G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для AP2N050G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2N050G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  ape
 ap2n050g.pdf pdf_icon

AP2N050G

AP2N050GHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD Low Gate Charge RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID3 4AS RoHS Compliant & Halogen-FreeDSOT-89GDescription DAP2N050 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve th

 7.1. Size:65K  ape
 ap2n050h.pdf pdf_icon

AP2N050G

AP2N050HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 20V Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID 14.8AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 seriesare fromAdvanced Power innovated designAP2N050series arefrom Advanced Power innovated

 9.1. Size:189K  ape
 ap2n075en.pdf pdf_icon

AP2N050G

AP2N075ENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 75m Fast Switching Performance ID 3.5AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP2N075E series are from Advanced Power innovated design andGsilicon process technology to achiev

 9.2. Size:210K  ape
 ap2n030ey.pdf pdf_icon

AP2N050G

AP2N030EYHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 34mD Fast Switching Performance ID3 6.3AGD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-26DDDescriptionAP2N030E series are from Advanced Power innovated design andGsilicon process technology

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP2535GEY , AP2622GY , AP6800EY , AP1332GEU , AP2N7002KU , AP1430GEU6 , AP2N1K2EN1 , AP5N2K2EN1 , IRF830 , AP6N090G , AP9451GG , AP9452GG , AP9T16AGH , AP99T03GS , AP99T03GP , AP9992GR , AP9990GMT-L .

History: NCEP8818AS | 2SK2677

 

 
Back to Top

 


 
.