AP2N050G - описание и поиск аналогов

 

AP2N050G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2N050G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm

Тип корпуса: SOT89

Аналог (замена) для AP2N050G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2N050G даташит

 ..1. Size:132K  ape
ap2n050g.pdfpdf_icon

AP2N050G

AP2N050G Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Low Gate Charge RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID3 4A S RoHS Compliant & Halogen-Free D SOT-89 G Description D AP2N050 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve th

 7.1. Size:65K  ape
ap2n050h.pdfpdf_icon

AP2N050G

AP2N050H Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D 100% Rg & UIS Test D BVDSS 20V Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID 14.8A G G RoHS Compliant & Halogen-Free S S Description AP4604 seriesare fromAdvanced Power innovated design AP2N050series arefrom Advanced Power innovated

 9.1. Size:189K  ape
ap2n075en.pdfpdf_icon

AP2N050G

AP2N075EN Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 75m Fast Switching Performance ID 3.5A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2N075E series are from Advanced Power innovated design and G silicon process technology to achiev

 9.2. Size:210K  ape
ap2n030ey.pdfpdf_icon

AP2N050G

AP2N030EY Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET S Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 34m D Fast Switching Performance ID3 6.3A G D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-26 D D Description AP2N030E series are from Advanced Power innovated design and G silicon process technology

Другие MOSFET... AP2535GEY , AP2622GY , AP6800EY , AP1332GEU , AP2N7002KU , AP1430GEU6 , AP2N1K2EN1 , AP5N2K2EN1 , 2N60 , AP6N090G , AP9451GG , AP9452GG , AP9T16AGH , AP99T03GS , AP99T03GP , AP9992GR , AP9990GMT-L .

History: APM9926K | MME65R280QRH | AP9962AGM | AP13P15GS | RCD075N19 | STF13NM60ND | AP9962AGP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.