AP9926GEO - описание и поиск аналогов

 

AP9926GEO. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP9926GEO

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для AP9926GEO

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9926GEO даташит

 ..1. Size:144K  ape
 ap9926geo.pdf pdf_icon

AP9926GEO

AP9926GEO-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET G2 Low On-resistance BVDSS 20V S2 S2 D2 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 28m G1 S1 Low Drive Current S1 ID 4.6A TSSOP-8 D1 Surface Mount Package RoHS Compliant & Halogen-Free Description D1 D2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G1

 0.1. Size:60K  ape
 ap9926geo-hf.pdf pdf_icon

AP9926GEO

AP9926GEO-HF Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET G2 Low On-resistance BVDSS 20V S2 S2 D2 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 28m G1 S1 Low Drive Current S1 ID 4.6A TSSOP-8 D1 Surface Mount Package RoHS Compliant & Halogen-Free Description D1 D2 Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G1

 6.1. Size:87K  ape
 ap9926gem.pdf pdf_icon

AP9926GEO

AP9926GEM Pb Free Plating Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20V D2 D2 Capable of 2.5V gate drive D1 RDS(ON) 30m D1 Low drive current ID 6A G2 S2 Surface mount package G1 SO-8 S1 Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D1 D2 designer with the best combination of fast sw

 7.1. Size:60K  ape
 ap9926gm-hf.pdf pdf_icon

AP9926GEO

AP9926GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power Dual N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20V D2 D2 D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 30m D1 Surface Mount Package ID 6A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 SO-8 Description D2 D1 AP9926 series are from Advanced Power innovated design and silicon process te

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP9990GMT-L , AP9990GMT , AP9979GH , AP9950AGP , AP9950AGH , AP9938GEY , AP9938GEO , AP9938AGEY , K2611 , AP9923GEO , AP9922GEO , AP97T07AGP , AP95T10AGP , AP95T07BGP , AP9579GJ , AP9467GH , AP9467AGH .

History: STT3471P | STF13N60M2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.