Справочник MOSFET. AP9926GEO

 

AP9926GEO Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9926GEO
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для AP9926GEO

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9926GEO Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  ape
 ap9926geo.pdf pdf_icon

AP9926GEO

AP9926GEO-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETG2 Low On-resistance BVDSS 20VS2S2D2 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 28mG1S1 Low Drive Current S1 ID 4.6ATSSOP-8D1 Surface Mount Package RoHS Compliant & Halogen-FreeDescriptionD1 D2Advanced Power MOSFETs from APEC provide theG1

 0.1. Size:60K  ape
 ap9926geo-hf.pdf pdf_icon

AP9926GEO

AP9926GEO-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETG2 Low On-resistance BVDSS 20VS2S2D2 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 28mG1S1 Low Drive Current S1 ID 4.6ATSSOP-8D1 Surface Mount Package RoHS Compliant & Halogen-FreeDescriptionD1 D2Advanced Power MOSFETs from APEC provide theG1

 6.1. Size:87K  ape
 ap9926gem.pdf pdf_icon

AP9926GEO

AP9926GEMPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low on-resistance BVDSS 20VD2D2 Capable of 2.5V gate drive D1 RDS(ON) 30mD1 Low drive current ID 6AG2S2 Surface mount packageG1SO-8S1DescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D1 D2designer with the best combination of fast sw

 7.1. Size:60K  ape
 ap9926gm-hf.pdf pdf_icon

AP9926GEO

AP9926GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power Dual N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 20VD2D2D1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 30mD1 Surface Mount Package ID 6AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S1SO-8DescriptionD2D1AP9926 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process te

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP9990GMT-L , AP9990GMT , AP9979GH , AP9950AGP , AP9950AGH , AP9938GEY , AP9938GEO , AP9938AGEY , IRF9640 , AP9923GEO , AP9922GEO , AP97T07AGP , AP95T10AGP , AP95T07BGP , AP9579GJ , AP9467GH , AP9467AGH .

History: IXTK210P10T | EFC6612R-TF | DMS3019SSD | RJK0226DNS | SWP9N50D | AP4420GH | MMN404

 

 
Back to Top

 


 
.