AP70WN1K5P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP70WN1K5P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 27 nC
trⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для AP70WN1K5P
AP70WN1K5P Datasheet (PDF)
ap70wn1k5p.pdf
AP70WN1K5PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 700VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.5 Fast Switching Characteristic ID3 6AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP70WN1K5 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-re
ap70wn1k5i.pdf
AP70WN1K5IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 700VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.5 Fast Switching Characteristic ID3 6AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP70WN1K5 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-re
ap70wn2k8h.pdf
AP70WN2K8HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 700VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.8 Fast Switching Characteristic ID3 4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP70WN2K8 series are from the innovated design and siliconGprocess technology to achieve the lowest possible on
ap70wn2k8l.pdf
AP70WN2K8LHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 700VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.8 Fast Switching Characteristic ID3 4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP70WN2K8 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-re
ap70wn2k8i.pdf
AP70WN2K8IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 700VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.8 Fast Switching Characteristic ID3 4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP70WN2K8 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-re
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: MS75N075
History: MS75N075
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918