Справочник MOSFET. AP6N3R2P

 

AP6N3R2P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6N3R2P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 138.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3670 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AP6N3R2P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6N3R2P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  ape
 ap6n3r2p.pdf pdf_icon

AP6N3R2P

AP6N3R2PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Low On-resistance RDS(ON) 3.2m Fast Switching CharacteristicGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP6N3R2 seriesare fromAdvanced Power innovated design and

 8.1. Size:183K  ape
 ap6n3r5i.pdf pdf_icon

AP6N3R2P

AP6N3R5IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 3.58m Low On-resistance ID 72AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP6N3R5 seriesare fromAdvanced Power innovated design anda

 8.2. Size:205K  ape
 ap6n3r8h.pdf pdf_icon

AP6N3R2P

AP6N3R8HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 3.8m Fast Switching Characteristic ID5 155AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP6N3R8 series are from Advanced Power innovated design andDSTO-252(H)silicon process technology to

 8.3. Size:162K  ape
 ap6n3r4cmt.pdf pdf_icon

AP6N3R2P

AP6N3R4CMTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 3.4m Ultra Low On-resistance ID4 130AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP6N3R4C series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP6N3R7MT , AP6N3R5S , AP6N3R5P , AP6N3R5LIN , AP6N3R5LI , AP6N3R5I , AP6N3R4CMT-L , AP6N3R4CMT , IRF1405 , AP6N3R1LH , AP6N3R0LMT , AP6N2R0P , AP6N2R0I , AP6N2R0CDT , AP6N1R7CDT , AP6N100JV , AP6N100J .

History: MSU11N50Q | 6N65KG-TF3-T

 

 
Back to Top

 


 
.