IRFI5210 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFI5210
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 180(max) nC
trⓘ - Время нарастания: 86 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: TO220F
IRFI5210 Datasheet (PDF)
irfi5210.pdf

PD - 9.1404AIRFI5210PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Isolated PackageVDSS = -100V High Voltage Isolation = 2.5KVRMS Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mmRDS(on) = 0.06 P-ChannelG Fully Avalanche RatedID = -23ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextre
irfi520gpbf.pdf

PD- 95392IRFI520GPbF Lead-Free06/10/04Document Number: 91143 www.vishay.com1IRFI520GPbFDocument Number: 91143 www.vishay.com2IRFI520GPbFDocument Number: 91143 www.vishay.com3IRFI520GPbFDocument Number: 91143 www.vishay.com4IRFI520GPbFDocument Number: 91143 www.vishay.com5IRFI520GPbFDocument Number: 91143 www.vishay.com6IRFI520GPbFDocument Num
Другие MOSFET... IRFI1310N , IRFI3205 , IRFI3710 , IRFI460 , IRFI4905 , IRFI510A , IRFI520A , IRFI520N , AO3400 , IRFI530A , IRFI530N , IRFI540A , IRFI540N , IRFI550A , IRFI610A , IRFI614A , IRFI614G .
History: SM3116NSUC | SSH25N40 | IXFK27N80Q | ZXMN10A07FTC
History: SM3116NSUC | SSH25N40 | IXFK27N80Q | ZXMN10A07FTC



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DH060N07D | DH060N07B | DH060N03R | DH045N06I | DH045N06F | DH045N06E | DH045N06D | DH045N06B | DH045N06 | DH045N04P | DH045N04I | DH045N04F | DH045N04E | DH045N04D | DH045N04B | DH045N04
Popular searches
2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b