AP65SL041AWL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP65SL041AWL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 480 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 74 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 135 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
Тип корпуса: TO247
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AP65SL041AWL Datasheet (PDF)
ap65sl041awl.pdf

AP65SL041AWLHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test VDS @ Tj,max. 700VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 41m Simple Drive Requirement ID3 74AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL041A series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achie
ap65sl045afwl.pdf

AP65SL045AFWLHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Ultra-Fast Body Diode BVDSS 650VD 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 45m Fast Switching Characteristic ID 63.7AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL045AF series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the l
ap65sl099as.pdf

AP65SL099ASHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 99m Simple Drive Requirement ID3 38AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL099A series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the lo
ap65sl099dwl.pdf

AP65SL099DWLHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 99m Simple Drive Requirement ID3 38AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL099D series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the l
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: ELM14614AA | R6020KNX | OSG60R580DTF | AO4912 | IRF351 | HM5N50I | IXFP18N65X2
History: ELM14614AA | R6020KNX | OSG60R580DTF | AO4912 | IRF351 | HM5N50I | IXFP18N65X2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor