AP60WN4K9P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP60WN4K9P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.9 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для AP60WN4K9P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP60WN4K9P даташит

 ..1. Size:160K  ape
 ap60wn4k9p.pdf pdf_icon

AP60WN4K9P

AP60WN4K9P Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.9 Fast Switching Characteristic ID3 2A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP60WN4K9 series are from the innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-re

 5.1. Size:198K  ape
 ap60wn4k9h.pdf pdf_icon

AP60WN4K9P

AP60WN4K9H Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.9 Fast Switching Characteristic ID3 2A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP60WN4K9 series are from the innovated design and silicon G process technology to achieve the lowest possible on

 5.2. Size:212K  ape
 ap60wn4k9i.pdf pdf_icon

AP60WN4K9P

AP60WN4K9I Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.9 Fast Switching Characteristic ID3 2A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP60WN4K9 series are from the innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-re

 5.3. Size:199K  ape
 ap60wn4k9j.pdf pdf_icon

AP60WN4K9P

AP60WN4K9J Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.9 Fast Switching Characteristic ID3 2A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G AP60WN4K9 series are from the innovated design and silicon D S TO-251(J) process technology to achieve the l

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP65PN2R6L, AP65PN2R6I, AP65PN2R6H, AP65PN2R5I, AP65PN1R4P, AP60WN720IN, AP60WN720I, AP60WN650I, 2SK3568, AP60WN4K9J, AP60WN4K9I, AP60WN4K9H, AP60WN4K5I, AP60WN4K5H, AP60WN2K3I, AP60WN2K3H, AP60WN2K1J