Справочник MOSFET. AP60WN4K9P

 

AP60WN4K9P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP60WN4K9P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP60WN4K9P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  ape
 ap60wn4k9p.pdf pdf_icon

AP60WN4K9P

AP60WN4K9PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.9 Fast Switching Characteristic ID3 2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN4K9 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-re

 5.1. Size:198K  ape
 ap60wn4k9h.pdf pdf_icon

AP60WN4K9P

AP60WN4K9HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.9 Fast Switching Characteristic ID3 2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN4K9 series are from the innovated design and siliconGprocess technology to achieve the lowest possible on

 5.2. Size:212K  ape
 ap60wn4k9i.pdf pdf_icon

AP60WN4K9P

AP60WN4K9IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.9 Fast Switching Characteristic ID3 2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN4K9 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-re

 5.3. Size:199K  ape
 ap60wn4k9j.pdf pdf_icon

AP60WN4K9P

AP60WN4K9JHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.9 Fast Switching Characteristic ID3 2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP60WN4K9 series are from the innovated design and siliconDSTO-251(J)process technology to achieve the l

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP65PN2R6L , AP65PN2R6I , AP65PN2R6H , AP65PN2R5I , AP65PN1R4P , AP60WN720IN , AP60WN720I , AP60WN650I , STF13NM60N , AP60WN4K9J , AP60WN4K9I , AP60WN4K9H , AP60WN4K5I , AP60WN4K5H , AP60WN2K3I , AP60WN2K3H , AP60WN2K1J .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.