AP50T10AGI datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP50T10AGI  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP50T10AGI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP50T10AGI даташит

 ..1. Size:165K  ape
ap50t10agi.pdfpdf_icon

AP50T10AGI

AP50T10AGI-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V RDS(ON) 33m Lower Gate Charge Fast Switching Characteristic ID 34A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP50T10A series are from Advanced Power innova

 0.1. Size:56K  ape
ap50t10agi-hf.pdfpdf_icon

AP50T10AGI

AP50T10AGI-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 33m Fast Switching Characteristic ID 34A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP50T10A series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowes

 7.1. Size:94K  ape
ap50t10gm-hf.pdfpdf_icon

AP50T10AGI

AP50T10GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 100V Single Drive Requirement RDS(ON) 30m Surface Mount Package ID 6.5A G Halogen Free & RoHS Compliant Product S D D Description D D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching,

 7.2. Size:58K  ape
ap50t10gi-hf.pdfpdf_icon

AP50T10AGI

AP50T10GI-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 30m Fast Switching Characteristic ID 21.8A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggediz

Другие IGBT... AP50WN1K5H, AP50WN1K0I, AP50WN1K0H, AP50T10GS, AP50T10GP, AP50T10GJ, AP50T10GI, AP50T10GH, 8205A, AP50SL290DH, AP50PN520R, AP4P052J, AP4P052H, AP4P016P, AP4P016I, AP4P016H, AP4P013LES