Справочник MOSFET. AP50T10AGI

 

AP50T10AGI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP50T10AGI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AP50T10AGI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP50T10AGI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  ape
 ap50t10agi.pdf pdf_icon

AP50T10AGI

AP50T10AGI-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V RDS(ON) 33m Lower Gate Charge Fast Switching Characteristic ID 34AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP50T10A series are from Advanced Power innova

 0.1. Size:56K  ape
 ap50t10agi-hf.pdf pdf_icon

AP50T10AGI

AP50T10AGI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 33m Fast Switching Characteristic ID 34AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP50T10A series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the lowes

 7.1. Size:94K  ape
 ap50t10gm-hf.pdf pdf_icon

AP50T10AGI

AP50T10GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 100V Single Drive Requirement RDS(ON) 30m Surface Mount Package ID 6.5AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,

 7.2. Size:58K  ape
 ap50t10gi-hf.pdf pdf_icon

AP50T10AGI

AP50T10GI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 30m Fast Switching Characteristic ID 21.8AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggediz

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP50WN1K5H , AP50WN1K0I , AP50WN1K0H , AP50T10GS , AP50T10GP , AP50T10GJ , AP50T10GI , AP50T10GH , 2SK3878 , AP50SL290DH , AP50PN520R , AP4P052J , AP4P052H , AP4P016P , AP4P016I , AP4P016H , AP4P013LES .

History: CHM634PAGP | NVMFS5A140PLZ

 

 
Back to Top

 


 
.