Справочник MOSFET. AP4P013LEP

 

AP4P013LEP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP4P013LEP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 128 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4P013LEP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  ape
 ap4p013lep.pdf pdf_icon

AP4P013LEP

AP4P013LEPHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 14.5m Fast Switching Characteristic ID -50AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP4P013LE series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowe

 5.1. Size:176K  ape
 ap4p013les.pdf pdf_icon

AP4P013LEP

AP4P013LESHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 14.5m Fast Switching Characteristic ID -50AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP4P013LE series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowe

 8.1. Size:204K  ape
 ap4p012leh.pdf pdf_icon

AP4P013LEP

AP4P012LEHHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 13.5m Fast Switching Characteristic ID -51AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP4P012LE series are from Advanced Power innovated design and GDsilicon process technology to achieve the

 8.2. Size:179K  ape
 ap4p016i.pdf pdf_icon

AP4P013LEP

AP4P016IHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test D BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 16m Fast Switching Characteristic ID4 -36AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP4P016 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest possib

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MTP2603G6 | GSM8931 | 2SK3572-Z | ZVP0120A | SWF20N65K2 | HMS29N65D | AUIRFP3306

 

 
Back to Top

 


 
.