AP3P7R0EJB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP3P7R0EJB  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO251S

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP3P7R0EJB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3P7R0EJB даташит

 ..1. Size:145K  ape
 ap3p7r0ejb.pdf pdf_icon

AP3P7R0EJB

AP3P7R0EJB Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 7m G Fast Switching Characteristic ID -75A RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KV S Description AP3P7R0E series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achiev

 6.1. Size:205K  ape
 ap3p7r0eh.pdf pdf_icon

AP3P7R0EJB

AP3P7R0EH Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 7m G Fast Switching Characteristic ID -75A RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KV S Description AP3P7R0E series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve

 6.2. Size:163K  ape
 ap3p7r0emt.pdf pdf_icon

AP3P7R0EJB

AP3P7R0EMT Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 7m Fast Switching Characteristic ID -75A G RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KV S D Description D D AP3P7R0E series are from Advanced Power innovated design and D silicon process technolo

 6.3. Size:177K  ape
 ap3p7r0es.pdf pdf_icon

AP3P7R0EJB

AP3P7R0ES Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 7m G Fast Switching Characteristic ID -75A RoHS Compliant & Halogen-Free HBM ESD 2KV S Description AP3P7R0E series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP0203GMT-L, AP3P7R0EP, AP3N4R0P, AP3N2R8P, AP3N1R8P, AP3N020P, AP3P7R0EI, AP3N4R0J, IRLB4132, AP3P7R0EH, AP3P050H, AP3P010H, AP3N4R5H, AP3N4R0H, AP3N2R8H, AP3P7R0ES, AP3P6R0S