AP30T10GI - аналоги и даташиты транзистора

 

AP30T10GI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP30T10GI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AP30T10GI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP30T10GI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  ape
 ap30t10gi.pdf pdf_icon

AP30T10GI

AP30T10GI-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower On-resistance RDS(ON) 55m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 16AGSDescriptionAP30T10 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achie

 0.1. Size:58K  ape
 ap30t10gi-hf.pdf pdf_icon

AP30T10GI

AP30T10GI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower On-resistance RDS(ON) 55m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 16AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggedized device design, low on-Gresis

 6.1. Size:59K  ape
 ap30t10gs-hf.pdf pdf_icon

AP30T10GI

AP30T10GS-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 55m Fast Switching Characteristic ID 19AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggedized

 6.2. Size:181K  ape
 ap30t10gm.pdf pdf_icon

AP30T10GI

AP30T10GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100VDDD Lower Gate Charge RDS(ON) 55mD Fast Switching Characteristic ID3 4.5AGSS Halogen Free & RoHS CompliantSSO-8DDescriptionAP30T10 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process techno

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP3P7R0ES , AP3P6R0S , AP3N4R0S , AP3C010H , AP3A020Y , AP3990S , AP3700Y , AP30T10GS , 13N50 , AP30T10GH , AP30P10GH , AP2N050H , AP2910EC4 , AP2904EC4 , AP25N170I , AP20WN170P , AP20WN170J .

History: SM6A12NSF | AOSX32128 | AONP38324 | JMSH0606PGDQ | WMJ36N60C4 | BSB053N03LPG | AO3401MI-MS

 

 
Back to Top

 


 
.