AP30P10GH - аналоги и даташиты транзистора

 

AP30P10GH - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP30P10GH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP30P10GH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP30P10GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:185K  ape
 ap30p10gh.pdf pdf_icon

AP30P10GH

AP30P10GH-HFHalogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 80m Fast Switching Characteristic ID -25AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP30P10 series are from Advanced Power innovat

 0.1. Size:96K  ape
 ap30p10gh-hf.pdf pdf_icon

AP30P10GH

AP30P10GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 80m Fast Switching Characteristic ID -25AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggediz

 6.1. Size:93K  ape
 ap30p10gs.pdf pdf_icon

AP30P10GH

AP30P10GSRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 80m Fast Switching Characteristic ID -25AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistance

 6.2. Size:94K  ape
 ap30p10gs-hf.pdf pdf_icon

AP30P10GH

AP30P10GS-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 80m Fast Switching Characteristic ID -25AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggediz

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP3N4R0S , AP3C010H , AP3A020Y , AP3990S , AP3700Y , AP30T10GS , AP30T10GI , AP30T10GH , BS170 , AP2N050H , AP2910EC4 , AP2904EC4 , AP25N170I , AP20WN170P , AP20WN170J , AP20WN170I , AP20WN170H .

History: BUZ11S2 | 60NM60G-T3P

 

 
Back to Top

 


 
.