AP05N50EJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP05N50EJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP05N50EJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP05N50EJ даташит

 ..1. Size:161K  ape
 ap05n50ej.pdf pdf_icon

AP05N50EJ

AP05N50EH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 500V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.6 G Simple Drive Requirement ID 5A RoHS Compliant & Halogen-Free S G Description D TO-252(H) S AP05N50E series are from Advanced Power innovated design and silicon process technolo

 0.1. Size:63K  ape
 ap05n50eh-hf ap05n50ej-hf.pdf pdf_icon

AP05N50EJ

AP05N50EH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 500V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.6 G Simple Drive Requirement ID 5A RoHS Compliant & Halogen-Free S G Description D TO-252(H) S The AP05N50 provide high blocking voltage to overcome voltage surge and sag in the to

 6.1. Size:59K  ape
 ap05n50ei-hf.pdf pdf_icon

AP05N50EJ

AP05N50EI-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 500V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.6 G Simple Drive Requirement ID 5A RoHS Compliant & Halogen-Free S Description The AP05N50 provide high blocking voltage to overcome voltage surge G D and sag in the toughest power sys

 6.2. Size:196K  ape
 ap05n50eh.pdf pdf_icon

AP05N50EJ

AP05N50EH/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 500V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.6 G Simple Drive Requirement ID 5A RoHS Compliant & Halogen-Free S G Description D TO-252(H) S AP05N50E series are from Advanced Power innovated design and silicon process technolo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP10N012P, AP10N012IN, AP10N012I, AP10N012H, AP10C325Y, AP09T10GH, AP09N20BGH, AP0603GH, IRFP460, AP05N50EH, AP05N20GJ, AP05N20GI, AP05N20GH, AP04N70BS-H, AP02N90JB, AP02N90J, AP02N90H