Справочник MOSFET. AP01L60T-H

 

AP01L60T-H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP01L60T-H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 13.5 Ohm
   Тип корпуса: TO92
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP01L60T-H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  ape
 ap01l60t-h.pdf pdf_icon

AP01L60T-H

AP01L60T-H-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 700VD Fast Switching Characteristics RDS(ON) 13.5 Simple Drive Requirement ID 160mAG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resistan

 0.1. Size:86K  ape
 ap01l60t-h-hf.pdf pdf_icon

AP01L60T-H

AP01L60T-H-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 700VD Fast Switching Characteristics RDS(ON) 13.5 Simple Drive Requirement ID 160mAG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resistan

 0.2. Size:90K  ape
 ap01l60t-hf.pdf pdf_icon

AP01L60T-H

AP01L60T-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 600VD Fast Switching Characteristics RDS(ON) 12 Simple Drive Requirement ID 160mAG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resistance,

 6.1. Size:92K  ape
 ap01l60t.pdf pdf_icon

AP01L60T-H

AP01L60TRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 600VD Fast Switching Characteristics RDS(ON) 12 Simple Drive Requirement ID 160mAGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient andcost-effect

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SPP02N60C3 | MC11N005 | ME95N03 | JCS5N50CT | NCEP026N10F | NVMFS5C628N | SI7913DN

 

 
Back to Top

 


 
.