AP01L60T-H MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP01L60T-H
Маркировка: 01L60T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.83 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.16 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 7 nC
Время нарастания (tr): 5 ns
Выходная емкость (Cd): 20 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 13.5 Ohm
Тип корпуса: TO92
Аналог (замена) для AP01L60T-H
AP01L60T-H Datasheet (PDF)
ap01l60t-h.pdf
AP01L60T-H-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 700VD Fast Switching Characteristics RDS(ON) 13.5 Simple Drive Requirement ID 160mAG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resistan
ap01l60t-h-hf.pdf
AP01L60T-H-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 700VD Fast Switching Characteristics RDS(ON) 13.5 Simple Drive Requirement ID 160mAG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resistan
ap01l60t-hf.pdf
AP01L60T-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 600VD Fast Switching Characteristics RDS(ON) 12 Simple Drive Requirement ID 160mAG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resistance,
ap01l60t.pdf
AP01L60TRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 600VD Fast Switching Characteristics RDS(ON) 12 Simple Drive Requirement ID 160mAGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient andcost-effect
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C