AP01L60T-H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP01L60T-H  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 13.5 Ohm

Тип корпуса: TO92

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP01L60T-H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP01L60T-H даташит

 ..1. Size:206K  ape
 ap01l60t-h.pdf pdf_icon

AP01L60T-H

AP01L60T-H-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 700V D Fast Switching Characteristics RDS(ON) 13.5 Simple Drive Requirement ID 160mA G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistan

 0.1. Size:86K  ape
 ap01l60t-h-hf.pdf pdf_icon

AP01L60T-H

AP01L60T-H-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 700V D Fast Switching Characteristics RDS(ON) 13.5 Simple Drive Requirement ID 160mA G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistan

 0.2. Size:90K  ape
 ap01l60t-hf.pdf pdf_icon

AP01L60T-H

AP01L60T-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 600V D Fast Switching Characteristics RDS(ON) 12 Simple Drive Requirement ID 160mA G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance,

 6.1. Size:92K  ape
 ap01l60t.pdf pdf_icon

AP01L60T-H

AP01L60T RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 600V D Fast Switching Characteristics RDS(ON) 12 Simple Drive Requirement ID 160mA G S Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effect

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP05N50EH, AP05N20GJ, AP05N20GI, AP05N20GH, AP04N70BS-H, AP02N90JB, AP02N90J, AP02N90H, IRFB4227, AP01L60H-A-HF, AP01L60H-H, AP01L60J-A-HF, AP01L60J-H, AP01L60T-HF, AP01N40J, AP02N60H-HF, AP02N60H-H-HF