AP01N40J datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP01N40J  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 16 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP01N40J

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP01N40J даташит

 ..1. Size:65K  ape
 ap01n40j.pdf pdf_icon

AP01N40J

AP01N40J RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 400V D 100% Avalanche Rated RDS(ON) 16 Fast Switching Performance ID 0.5A G Simple Drive Requirement S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desig

 7.1. Size:56K  ape
 ap01n40g-hf.pdf pdf_icon

AP01N40J

AP01N40G-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 400V D 100% Avalanche Test RDS(ON) 16 Fast Switching Performance ID 0.2A G Simple Drive Requirement S D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with S the best combination of fast switching, ruggedized device

 7.2. Size:57K  ape
 ap01n40hj-hf.pdf pdf_icon

AP01N40J

AP01N40H/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 400V D 100% Avalanche Rated RDS(ON) 16 Fast Switching Performance ID 0.5A G Simple Drive Requirement S RoHS Compliant & Halogen-Free Description G D AP01N40 series are from Advanced Power innovated design and TO-252(H) S sili

 9.1. Size:98K  ape
 ap01n60hj-hf.pdf pdf_icon

AP01N40J

AP01N60H/J-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600V D Fast Switching Characteristics RDS(ON) 8 Simple Drive Requirement ID 1.6A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial D S TO-252(H) surface mount ap

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP02N90J, AP02N90H, AP01L60T-H, AP01L60H-A-HF, AP01L60H-H, AP01L60J-A-HF, AP01L60J-H, AP01L60T-HF, P55NF06, AP02N60H-HF, AP02N60H-H-HF, AP02N60J-HF, AP02N60J-H-HF, AP02N60P, AP02N60P-HF, AP02N70EJ-HF, AP02N90I-HF