AP09N20BGS-HF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP09N20BGS-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 21 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для AP09N20BGS-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP09N20BGS-HF даташит

 ..1. Size:55K  ape
 ap09n20bgs-hf.pdf pdf_icon

AP09N20BGS-HF

AP09N20BGS-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 200V D Lower Gate Charge RDS(ON) 460m Fast Switching Characteristics ID 7.8A RoHS Compliant & Halogen-Free G S Description AP09N20B series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the l

 5.1. Size:93K  ape
 ap09n20bgh-hf.pdf pdf_icon

AP09N20BGS-HF

AP09N20BGH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 200V D Lower Gate Charge RDS(ON) 460m Fast Switching Characteristics ID 7.8A RoHS Compliant & Halogen-Free G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S TO-252(H) designer with the best combination of f

 5.2. Size:230K  ape
 ap09n20bgh.pdf pdf_icon

AP09N20BGS-HF

AP09N20BGH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 200V D Lower Gate Charge RDS(ON) 460m Fast Switching Characteristics ID 7.8A RoHS Compliant & Halogen-Free G S Description AP09N20B series are from Advanced Power innovated design and G silicon process technology to achieve th

 5.3. Size:58K  ape
 ap09n20bgp-hf.pdf pdf_icon

AP09N20BGS-HF

AP09N20BGP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 200V D Lower Gate Charge RDS(ON) 460m Fast Switching Characteristics ID 7.8A RoHS Compliant & Halogen-Free G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, G T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP04N60J-HF, AP04N70BI-A-HF, AP04N70BI-HF, AP05FN50I, AP05FN50I-HF, AP05N50I-HF, AP0803GMT-A-HF, AP0904GP-HF, 12N60, AP09N70P-A-HF, AP09N70P-H-LF, AP1003BST, AP1004CMX, AP1005BSQ, AP10N70I-A, AP10P10GK-HF, AP11N50I-HF