AP10N70I-A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP10N70I-A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 36 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.62 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для AP10N70I-A
AP10N70I-A Datasheet (PDF)
ap10n70i-a.pdf

AP10N70I-ARoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 650V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.62 Simple Drive Requirement ID 10AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withGthe best combination of fast switching, ruggedized device design, lowDTO-22
ap10n70i-a-hf.pdf

AP10N70I-A-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 650V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.62 Simple Drive Requirement ID 10AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, rugged
ap10n70p.pdf

AP10N70R/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 600V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.6 Simple Drive Requirement ID 10AGSDescriptionGAP10N70 series are specially designed as main switching devices forDTO-262(R)Suniversal 90~265VAC off-line AC/DC converter applicati
ap10n70s.pdf

AP10N70SRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test D BVDSS 600V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.6 Simple Drive Requirement ID 10AGSDescriptionAP10N70S is specially designed as main switching devices for universalGD90~265VAC off-line AC/DC converter applications. TO-263 type provid
Другие MOSFET... AP0803GMT-A-HF , AP0904GP-HF , AP09N20BGS-HF , AP09N70P-A-HF , AP09N70P-H-LF , AP1003BST , AP1004CMX , AP1005BSQ , IRLB4132 , AP10P10GK-HF , AP11N50I-HF , AP1203GH , AP1203GM , AP1333GU-HF , AP13N50W-HF , AP13P15GP , AP13P15GS .
History: SIHG47N60S | AO4354
History: SIHG47N60S | AO4354



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1008PK | JMSH1008PGQ | JMSH1008PG | JMSH1008PE | JMSH1008PC | JMSH1008AKQ | JMSH1008AGQ | JMSH1008AG | JMSH1008AE | JMSH1008AC | JMSH0606PU | JMSH0606PK | JMSH0606PGQ | JMSH0606PGDQ | JMSH0606PGD | JMSH0606PG
Popular searches
c945 transistor | irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460