AP6679GP-A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP6679GP-A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0135 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для AP6679GP-A
AP6679GP-A Datasheet (PDF)
ap6679gp-a ap6679gs-a.pdf

AP6679GS/P-APb Free Plating ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 13.5m Fast Switching Characteristic ID -65AG RoHS CompliantSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,DS TO-
ap6679gp-hf ap6679gs-hf.pdf

AP6679GS/P-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -75AG RoHS CompliantSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,DS TO-263(S)r
ap6679gp.pdf

AP6679GS/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -75AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,DS TO-263(S)ruggedized device desi
ap6679gs.pdf

AP6679GS/PRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Lower On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -75AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theGdesigner with the best combination of fast switching,DS TO-263(S)ruggedized device desi
Другие MOSFET... AP18P10GJ-HF , AP18T10GH , AP18T10GJ , AP1A003GMT-HF , AP6679BGJ-HF , AP6679GH , AP6679GI , AP6679GJ , IRF730 , AP6679GP-HF , AP6679GS , AP6679GS-A , AP6679GS-HF , AP6680AGM-HF , AP6680GM , AP6681GMT-HF , AP20N15AGI-HF .
History: IXFK16N90Q | TMU2N40 | IXFX120N25 | NCEP035N12 | KRF7663 | SFP60N100 | PSMN1R5-30YL
History: IXFK16N90Q | TMU2N40 | IXFX120N25 | NCEP035N12 | KRF7663 | SFP60N100 | PSMN1R5-30YL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945 | ac128 transistor