AP6681GMT-HF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP6681GMT-HF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1060 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для AP6681GMT-HF
AP6681GMT-HF Datasheet (PDF)
ap6681gmt-hf.pdf
AP6681GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS -30VD SO-8 Compatible RDS(ON) 3.1m Simple Drive Requirement ID -135AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theDbest combination of fast switching, ruggediz
ap6680bgm-hf.pdf
AP6680BGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 9mD Fast Switching Characteristic ID 13.3AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of f
ap6680agm.pdf
AP6680AGMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristic ID 12AGSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the Ddesigner with the best combination of fast switching,Gruggedized device design, ultra
ap6680cgyt-hf.pdf
AP6680CGYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 15AGSDDDescriptionDAP6680C series are from Advanced Power innovated design and siliconDprocess technology to achieve the lowest possible on-re
Другие MOSFET... AP6679GJ , AP6679GP-A , AP6679GP-HF , AP6679GS , AP6679GS-A , AP6679GS-HF , AP6680AGM-HF , AP6680GM , IRLB3034 , AP20N15AGI-HF , AP20P02GH , AP20P02GJ , AP20T15GM-HF , AP2301AGN , AP2301EN-HF , AP2301GN , AP2302GN .
History: ELM32420LA | G90N04
History: ELM32420LA | G90N04
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
ac128 transistor | 2n3055 transistor | 2n3904 datasheet | irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210










