AP6681GMT-HF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP6681GMT-HF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 94 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1060 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для AP6681GMT-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6681GMT-HF даташит

 ..1. Size:93K  ape
 ap6681gmt-hf.pdf pdf_icon

AP6681GMT-HF

AP6681GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS -30V D SO-8 Compatible RDS(ON) 3.1m Simple Drive Requirement ID -135A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D Description D D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the D best combination of fast switching, ruggediz

 9.1. Size:93K  ape
 ap6680bgm-hf.pdf pdf_icon

AP6681GMT-HF

AP6680BGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m D Fast Switching Characteristic ID 13.3A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of f

 9.2. Size:196K  ape
 ap6680agm.pdf pdf_icon

AP6681GMT-HF

AP6680AGM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-Resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 11m Fast Switching Characteristic ID 12A G S D D Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the D designer with the best combination of fast switching, G ruggedized device design, ultra

 9.3. Size:59K  ape
 ap6680cgyt-hf.pdf pdf_icon

AP6681GMT-HF

AP6680CGYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 15A G S D D Description D AP6680C series are from Advanced Power innovated design and silicon D process technology to achieve the lowest possible on-re

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP6679GJ, AP6679GP-A, AP6679GP-HF, AP6679GS, AP6679GS-A, AP6679GS-HF, AP6680AGM-HF, AP6680GM, IRLB3034, AP20N15AGI-HF, AP20P02GH, AP20P02GJ, AP20T15GM-HF, AP2301AGN, AP2301EN-HF, AP2301GN, AP2302GN