AP2R803GM-HF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP2R803GM-HF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP2R803GM-HF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2R803GM-HF даташит

 ..1. Size:118K  ape
 ap2r803gm-hf.pdf pdf_icon

AP2R803GM-HF

AP2R803GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 3.2m D Fast Switching Characteristic ID 22.8A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 D Description AP2R803 series are from Advanced Power innovated design and silicon process tech

 5.1. Size:59K  ape
 ap2r803gmt-hf.pdf pdf_icon

AP2R803GM-HF

AP2R803GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible RDS(ON) 3m Low On-resistance ID 105A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D D D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugged

 6.1. Size:93K  ape
 ap2r803gh.pdf pdf_icon

AP2R803GM-HF

AP2R803GH RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.8m Fast Switching Characteristic ID 75A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best G D combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resista

 6.2. Size:137K  ape
 ap2r803gjb.pdf pdf_icon

AP2R803GM-HF

AP2R803GJB Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.8m Fast Switching Characteristic ID3 75A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP2R803 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP2623GY-HF, AP2625GY-HF, AP2732GK-HF, AP2761I-A-HF, AP2762I-A, AP2764AP-A, AP2764I-A-HF, AP2R803GH, 7N65, AP2R803GS-HF, AP30P10GS-HF, AP3310GJ, AP3801GM-HF, AP3989I-HF, AP3R604GH, AP4002H-HF, AP4002J-HF