Справочник MOSFET. AP2R803GM-HF

 

AP2R803GM-HF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2R803GM-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 700 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2R803GM-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  ape
 ap2r803gm-hf.pdf pdf_icon

AP2R803GM-HF

AP2R803GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower On-resistance BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 3.2mD Fast Switching Characteristic ID 22.8AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DDescriptionAP2R803 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess tech

 5.1. Size:59K  ape
 ap2r803gmt-hf.pdf pdf_icon

AP2R803GM-HF

AP2R803GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible RDS(ON) 3m Low On-resistance ID 105AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,rugged

 6.1. Size:93K  ape
 ap2r803gh.pdf pdf_icon

AP2R803GM-HF

AP2R803GHRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.8m Fast Switching Characteristic ID 75AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the bestGDcombination of fast switching, ruggedized device design, low on-resista

 6.2. Size:137K  ape
 ap2r803gjb.pdf pdf_icon

AP2R803GM-HF

AP2R803GJBHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.8m Fast Switching Characteristic ID3 75AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP2R803 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: KX6N70 | CHM1503YJGP

 

 
Back to Top

 


 
.