IRFI9540N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFI9540N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.117 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFI9540N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI9540N даташит

 ..1. Size:145K  international rectifier
 irfi9540n.pdf pdf_icon

IRFI9540N

PD - 9.1487B IRFI9540N PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Isolated Package VDSS = -100V High Voltage Isolation = 2.5KVRMS Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm RDS(on) = 0.117 P-Channel G Fully Avalanche Rated ID = -15A Description S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve ext

 6.1. Size:284K  international rectifier
 irfi9540g.pdf pdf_icon

IRFI9540N

PD - 95609 IRFI9540GPbF Lead-Free 7/29/03 Document Number 91164 www.vishay.com 1 IRFI9540GPbF Document Number 91164 www.vishay.com 2 IRFI9540GPbF Document Number 91164 www.vishay.com 3 IRFI9540GPbF Document Number 91164 www.vishay.com 4 IRFI9540GPbF Document Number 91164 www.vishay.com 5 IRFI9540GPbF Document Number 91164 www.vishay.com 6 IRFI9540GPbF Peak

 6.2. Size:944K  vishay
 irfi9540g-pbf sihfi9540g.pdf pdf_icon

IRFI9540N

IRFI9540G, SiHFI9540G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.20 RoHS* Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 61 COMPLIANT P-Channel Qgs (nC) 14 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 29 Dynamic dV/dt

 6.3. Size:943K  vishay
 irfi9540g sihfi9540g.pdf pdf_icon

IRFI9540N

IRFI9540G, SiHFI9540G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.20 RoHS* Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 61 COMPLIANT P-Channel Qgs (nC) 14 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 29 Dynamic dV/dt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFI820G, IRFI830A, IRFI830G, IRFI840A, IRFI840G, IRFI840GLC, IRFI9520N, IRFI9530G, AOD4184A, IRFI9620G, IRFI9630G, IRFI9634G, IRFI9640G, IRFI9Z24N, IRFI9Z34N, IRFIB5N65A, IRFIB6N60A