Справочник MOSFET. IRFI9540N

 

IRFI9540N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFI9540N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 97(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.117 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для IRFI9540N

 

 

IRFI9540N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  international rectifier
 irfi9540n.pdf

IRFI9540N IRFI9540N

PD - 9.1487BIRFI9540NPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Isolated PackageVDSS = -100V High Voltage Isolation = 2.5KVRMS Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mmRDS(on) = 0.117 P-ChannelG Fully Avalanche RatedID = -15ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveext

 6.1. Size:284K  international rectifier
 irfi9540g.pdf

IRFI9540N IRFI9540N

PD - 95609IRFI9540GPbF Lead-Free7/29/03Document Number: 91164 www.vishay.com1IRFI9540GPbFDocument Number: 91164 www.vishay.com2IRFI9540GPbFDocument Number: 91164 www.vishay.com3IRFI9540GPbFDocument Number: 91164 www.vishay.com4IRFI9540GPbFDocument Number: 91164 www.vishay.com5IRFI9540GPbFDocument Number: 91164 www.vishay.com6IRFI9540GPbFPeak

 6.2. Size:944K  vishay
 irfi9540g-pbf sihfi9540g.pdf

IRFI9540N IRFI9540N

IRFI9540G, SiHFI9540GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.20RoHS* Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 61 COMPLIANT P-ChannelQgs (nC) 14 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 29 Dynamic dV/dt

 6.3. Size:943K  vishay
 irfi9540g sihfi9540g.pdf

IRFI9540N IRFI9540N

IRFI9540G, SiHFI9540GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;Availablef = 60 Hz)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.20RoHS* Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 61 COMPLIANT P-ChannelQgs (nC) 14 175 C Operating TemperatureQgd (nC) 29 Dynamic dV/dt

 6.4. Size:2870K  cn vbsemi
 irfi9540gp.pdf

IRFI9540N IRFI9540N

IRFI9540GPwww.VBsemi.twP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ.)Definition0.220 at VGS = - 10 V - 12 TrenchFET Power MOSFET- 100 11.70.230 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Power Switch DC/DC C

Другие MOSFET... IRFI820G , IRFI830A , IRFI830G , IRFI840A , IRFI840G , IRFI840GLC , IRFI9520N , IRFI9530G , 5N65 , IRFI9620G , IRFI9630G , IRFI9634G , IRFI9640G , IRFI9Z24N , IRFI9Z34N , IRFIB5N65A , IRFIB6N60A .

 

 
Back to Top