AP9997GK-HF - аналоги и даташиты транзистора

 

AP9997GK-HF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP9997GK-HF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для AP9997GK-HF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9997GK-HF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  ape
 ap9997gk-hf.pdf pdf_icon

AP9997GK-HF

AP9997GK-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100VD Lower Gate Charge RDS(ON) 120mS Fast Switching Characteristic ID 3.2AD Halogen Free & RoHS Compliant ProductSOT-223GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of

 6.1. Size:94K  ape
 ap9997gk.pdf pdf_icon

AP9997GK-HF

AP9997GKRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 100VD Lower Gate Charge RDS(ON) 120m Fast Switching Characteristic ID 3.2ASDSOT-223GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Glow on-resistance and co

 6.2. Size:812K  cn vbsemi
 ap9997gk.pdf pdf_icon

AP9997GK-HF

AP9997GKwww.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.100 at VGS = 10 V 5.0 TrenchFET Power MOSFETs1000.120 at VGS = 4.5 V 4.5 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSOT-223D GSDGSN-Channel MOSFET ABS

 7.1. Size:182K  ape
 ap9997gm.pdf pdf_icon

AP9997GK-HF

AP9997GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Characteristic BVDSS 95VD2D2 Single Drive Requirement RDS(ON) 110mD1D1 Surface Mount Package ID 3AG2S2G1S1SO-8DescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theD2D1designer with the best combination of fast switching,rugge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP4407GS-HF , AP4407S , AP4409AGEH-HF , AP4409AGEM-HF , AP4409AGM-HF , AP9990GI-HF , AP9994AGP-HF , AP9994GP-HF , IRFP250 , AP9997GP , AP9998GI-HF , AP99LT06GI-HF , AP99LT06GP-HF , AP99LT06GS-HF , AP99T03GR-HF , AP9T15GH-HF , AP9T15GJ-HF .

History: BRCS50N06IP | 2N65KL-TF3T-T | AONS66520

 

 
Back to Top

 


 
.