AP9962GM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP9962GM
Маркировка: 9962GM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 25.8 nC
trⓘ - Время нарастания: 6.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: SO8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AP9962GM Datasheet (PDF)
ap9962gm.pdf

AP9962GMRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40VD2D2 Single Drive Requirement RDS(ON) 25mD1D1 Surface Mount Package ID 7AG2S2G1S1SO-8DescriptionD2Advanced Power MOSFETs from APEC provide theD1designer with the best combination of fast switching,ruggedized device
ap9962gma.pdf

AP9962GMAPb Free Plating ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET SO-8 similar area footprint and pin assignment BVDSS 40V Low Gate Charge RDS(ON) 20mD Fast Switching Speed ID 36A RoHS CompliantGSDDescriptionThe APAK-5 package is preferred for all commercial-industrialSsurface mount applications and suited for low
ap9962gm-hf.pdf

AP9962GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40VD2D2 Single Drive Requirement RDS(ON) 25mD1D1 Surface Mount Package ID 7AG2 RoHS CompliantS2G1S1SO-8DescriptionD2D1Advanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching
ap9962gh ap9962gj.pdf

AP9962GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance BVDSS 40VD Single Drive Requirement RDS(ON) 20m Surface Mount Package ID 32AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GDruggedized device design, low on-resistance an
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet