AP4816GSM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4816GSM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для AP4816GSM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4816GSM даташит

 ..1. Size:131K  ape
 ap4816gsm.pdf pdf_icon

AP4816GSM

AP4816GSM RoHS-compliant Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL MOSFET WITH Electronics Corp. SCHOTTKY DIODE S1/D2 Simple Drive Requirement CH-1 BVDSS 30V S1/D2 S1/D2 DC-DC Converter Suitable RDS(ON) 22m D1 Fast Switching Performance ID 6.7A G2 CH-2 BVDSS 30V S2/A S2/A SO-8 RDS(ON) 13m G1 Description ID 11.5A The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the des

 9.1. Size:60K  ape
 ap4813gyt-hf.pdf pdf_icon

AP4816GSM

AP4813GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKY Electronics Corp. DIODE D Simple Drive Requirement BVDSS 30V Good Recovery Time RDS(ON) 10m Schottky Diode Small Size & Lower Profile ID 15A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the D best combination of fas

 9.2. Size:105K  ape
 ap4810gsm.pdf pdf_icon

AP4816GSM

AP4810GSM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKY Electronics Corp. DIODE Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D D Good Recovery Time RDS(ON) 13.5m D Fast Switching Performance ID 11A G S S SO-8 S D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the Schottky Diode G designer with the best combination of fast switching, rugge

 9.3. Size:102K  ape
 ap4813gsm-hf.pdf pdf_icon

AP4816GSM

AP4813GSM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKY Electronics Corp. DIODE Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D D Good Recovery Time RDS(ON) 9m D Fast Switching Performance ID 13A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S SO-8 S D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the Schottky Diode G designer with the best comb

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP70T03GH-HF, AP70U02GH, AP72T03GJ-HF, AP72T03GP, AP75T10GS-HF, AP76T03AGMT-HF, AP7811GM, AP4800AGM, 7N65, AP4835GM-HF, AP4880GEM, AP4953GM, AP4955GM-HF, AP4957AGM-HF, AP50T03GH, AP50T03GJ, AP5523GM-HF