Справочник MOSFET. AP50T03GJ

 

AP50T03GJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP50T03GJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP50T03GJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  ape
 ap50t03gh ap50t03gj.pdf pdf_icon

AP50T03GJ

AP50T03GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Low On-resistance RDS(ON) 16m Fast Switching Characteristic ID 37AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,GDSruggedized device design, low on-

 9.1. Size:94K  ape
 ap50t10gm-hf.pdf pdf_icon

AP50T03GJ

AP50T10GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS 100V Single Drive Requirement RDS(ON) 30m Surface Mount Package ID 6.5AG Halogen Free & RoHS Compliant ProductSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,

 9.2. Size:58K  ape
 ap50t10gi-hf.pdf pdf_icon

AP50T03GJ

AP50T10GI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 30m Fast Switching Characteristic ID 21.8AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggediz

 9.3. Size:165K  ape
 ap50t10agi.pdf pdf_icon

AP50T03GJ

AP50T10AGI-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V RDS(ON) 33m Lower Gate Charge Fast Switching Characteristic ID 34AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP50T10A series are from Advanced Power innova

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: AP20T15GH-HF | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP | AUIRFZ34N | SML80L27F | 2N6760JANTXV | RU7550S

 

 
Back to Top

 


 
.