AP9412AGM. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP9412AGM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 435 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для AP9412AGM
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP9412AGM даташит
ap9412agm.pdf
AP9412AGM RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D Ultra_Low On-resistance RDS(ON) 6m D D Fast Switching Characteristic ID 16A G S S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized devic
ap9412agm-hf.pdf
AP9412AGM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D Ultra_Low On-resistance RDS(ON) 6m D D Fast Switching Characteristic ID 16A G RoHS Compliant & Halogen-Free S S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination o
ap9412agp.pdf
AP9412AGP RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Lower Gate Charge BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 68A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance an
ap9412agi.pdf
AP9412AGI RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Performance BVDSS 30V D Single Drive Requirement RDS(ON) 6m Full Isolation Package ID 68A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance
Другие MOSFET... AP60T03AS , AP60T03GJ , AP60T10GP-HF , AP60T10GS-HF , AP60U02GH , AP60U03GH , AP62T02GJ , AP9410GM-HF , IRFP250 , AP9412BGM , AP9435GJ-HF , AP9435GM , AP9435GP-HF , AP9450GMT-HF , AP9468GM-HF , AP9474GM-HF , AP9477GM .
History: HFP75N80C | NVA4001N | 2SK1254S
History: HFP75N80C | NVA4001N | 2SK1254S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305





