IRF3205SPBF - аналоги и даташиты транзистора

 

IRF3205SPBF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRF3205SPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 101 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 781 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IRF3205SPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF3205SPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:280K  international rectifier
irf3205spbf irf3205lpbf.pdfpdf_icon

IRF3205SPBF

PD - 95106IRF3205SPbFIRF3205LPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 8.0mGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 110ASDescriptinAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques t

 ..2. Size:280K  international rectifier
irf3205lpbf irf3205spbf.pdfpdf_icon

IRF3205SPBF

PD - 95106IRF3205SPbFIRF3205LPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 8.0mGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 110ASDescriptinAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques t

 6.1. Size:160K  international rectifier
irf3205s.pdfpdf_icon

IRF3205SPBF

PD - 94149IRF3205S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 8.0mG Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 110A SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-res

 6.2. Size:885K  cn minos
irf3205s.pdfpdf_icon

IRF3205SPBF

60V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe IRF3205S uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be usedDS(ON)in a wide variety of applications.ApplicationPower switching applicationHard switched and High frequency circuitsUninterruptible power supplyKEY CHARACTERISTICSV = 60V,I =120ADS DR

Другие MOSFET... IRF251 , IRF252 , IRF253 , IRF320 , IRF3205A , IRF3205H , IRF3205LPBF , IRF3205PBF , IRFP260N , IRF3205ZLPBF , IRF3205ZPBF , IRF3205ZSPBF , IRF321 , IRF322 , IRF323 , IRF3305PBF , IRF330R .

History: IRF3205S | TMP2N60Z | APQ14SN65AH | IXFK64N50Q3 | IRF9520NL | SIHB16N50C | MDD7N20CRH

 

 
Back to Top

 


 
.