IRF3205SPBF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRF3205SPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 110 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 101 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 781 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для IRF3205SPBF
IRF3205SPBF Datasheet (PDF)
irf3205spbf irf3205lpbf.pdf

PD - 95106IRF3205SPbFIRF3205LPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 8.0mGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 110ASDescriptinAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques t
irf3205lpbf irf3205spbf.pdf

PD - 95106IRF3205SPbFIRF3205LPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 8.0mGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 110ASDescriptinAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques t
irf3205s.pdf

PD - 94149IRF3205S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 8.0mG Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 110A SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-res
irf3205s.pdf

60V N-Channel Power MOSFETDESCRIPTIONThe IRF3205S uses advanced trench technology toprovide excellent R , low gate charge. It can be usedDS(ON)in a wide variety of applications.ApplicationPower switching applicationHard switched and High frequency circuitsUninterruptible power supplyKEY CHARACTERISTICSV = 60V,I =120ADS DR
Другие MOSFET... IRF251 , IRF252 , IRF253 , IRF320 , IRF3205A , IRF3205H , IRF3205LPBF , IRF3205PBF , IRFP260N , IRF3205ZLPBF , IRF3205ZPBF , IRF3205ZSPBF , IRF321 , IRF322 , IRF323 , IRF3305PBF , IRF330R .
History: IRF3205S | TMP2N60Z | APQ14SN65AH | IXFK64N50Q3 | IRF9520NL | SIHB16N50C | MDD7N20CRH
History: IRF3205S | TMP2N60Z | APQ14SN65AH | IXFK64N50Q3 | IRF9520NL | SIHB16N50C | MDD7N20CRH



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP3409MI | AP3407MI | AP3407AI | AP3404BI | AP3401MI | AP3401AI | AP3400MI-L | AP3400DI | AP3400CI | AP3400BI | AP3400AI | AP320N04TLG5 | AP30P10P | AP30P06D | AP30P03DF | AP13P20D
Popular searches
2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457