Справочник MOSFET. IRLMS6702PBF

 

IRLMS6702PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLMS6702PBF
   Маркировка: C*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.7 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 5.8 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
 

 Аналог (замена) для IRLMS6702PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLMS6702PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  international rectifier
 irlms6702pbf.pdf pdf_icon

IRLMS6702PBF

PD - 95224IRLMS6702PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyA1 6D Dl Micro6 Package StyleVDSS = -20Vl Ultra Low RDS(on)25DDl P-Channel MOSFETl Lead-Free34G S RDS(on) = 0.20DescriptionFifth Generation HEXFET power MOSFETs from Top ViewInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistanceper

 0.1. Size:204K  international rectifier
 irlms6702pbf-1.pdf pdf_icon

IRLMS6702PBF

IRLMS6702PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS -20 VA1 6D DRDS(on) max 0.200(@V = -4.5V)GS25 DDRDS(on) max 0.375(@V = -2.7V)GS34G SQg (typical) 5.8 nCMicro6ID Top View-2.4 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout Micro-6 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufact

 5.1. Size:195K  international rectifier
 irlms6702.pdf pdf_icon

IRLMS6702PBF

PD - 91414CIRLMS6702HEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyA1 6D Dl Micro6 Package StyleVDSS = -20Vl Ultra Low RDS(on)25DDl P-Channel MOSFET34G S RDS(on) = 0.20DescriptionFifth Generation HEXFET power MOSFETs from Top ViewInternational Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low on-resistanceper silicon area. T

 8.1. Size:148K  international rectifier
 irlms6802pbf.pdf pdf_icon

IRLMS6702PBF

PD- 94897IRLMS6802PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceA1 6l P-Channel MOSFET D DVDSS = -20Vl Surface Mount25DDl Available in Tape & Reell Lead-Free3 4G SRDS(on) = 0.050Top ViewDescriptionThese P-Channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. Thi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF510STRLPBF , IRF510STRRPBF , IRLMS1503PBF-1 , IRLMS1503PBF , IRLMS1902PBF , IRLMS2002PBF , IRLMS5703PBF , IRLMS6702PBF-1 , CS150N03A8 , IRLMS6802PBF , IRF1503L , IRF1503LPBF , IRF1503PBF , IRF1503SPBF , IRF150B , IRF150C , IRF150SMD .

History: KP746G1 | RFD8P06E

 

 
Back to Top

 


 
.