IRFIZ34N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFIZ34N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFIZ34N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFIZ34N даташит

 ..1. Size:105K  international rectifier
 irfiz34n.pdf pdf_icon

IRFIZ34N

PD - 9.1489A IRFIZ34N HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Isolated Package VDSS = 55V High Voltage Isolation = 2.5KVRMS Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm RDS(on) = 0.04 Fully Avalanche Rated G ID = 21A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per s

 ..2. Size:265K  international rectifier
 irfiz34npbf.pdf pdf_icon

IRFIZ34N

PD - 94840 IRFIZ34NPbF HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology D l Isolated Package VDSS = 55V l High Voltage Isolation = 2.5KVRMS l Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm RDS(on) = 0.04 l Fully Avalanche Rated G l Lead-Free ID = 21A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely l

 ..3. Size:504K  infineon
 irfiz34npbf.pdf pdf_icon

IRFIZ34N

IRFIZ34NPbF Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Isolated Package High Voltage Isolation = 2.5KVRMS VDSS 55V Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm RDS(on) 0.04 Fully Avalanche Rated Lead-Free ID 21A Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low

 ..4. Size:200K  inchange semiconductor
 irfiz34n.pdf pdf_icon

IRFIZ34N

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IRFIZ34N FEATURES With TO-220F package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Reduced switching and conduction losses 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFIBF20G, IRFIBF30G, IRFIZ14A, IRFIZ24A, IRFIZ24E, IRFIZ24N, IRFIZ34A, IRFIZ34E, IRF3710, IRFIZ44A, IRFIZ44N, IRFIZ46N, IRFIZ48N, IRFL014, IRFL024N, IRFL1006, IRFL110