Справочник MOSFET. IRLZ44NSPBF

 

IRLZ44NSPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLZ44NSPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 84 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLZ44NSPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:340K  international rectifier
 irlz44nlpbf irlz44nspbf.pdf pdf_icon

IRLZ44NSPBF

IRLZ44NS/LPbFl Logic-Level Gate Drive l Advanced Process TechnologyDl Surface Mount (IRLZ44NS) DSS l Low-profile through-hole (IRLZ44NL)l 175C Operating Temperature DS(on) l Fast SwitchingGl Fully Avalanche Rated D l Lead-FreeSDescription

 6.1. Size:340K  international rectifier
 irlz44ns irlz44nl.pdf pdf_icon

IRLZ44NSPBF

IRLZ44NS/LPbFl Logic-Level Gate Drive l Advanced Process TechnologyDl Surface Mount (IRLZ44NS) DSS l Low-profile through-hole (IRLZ44NL)l 175C Operating Temperature DS(on) l Fast SwitchingGl Fully Avalanche Rated D l Lead-FreeSDescription

 7.1. Size:102K  international rectifier
 irlz44n.pdf pdf_icon

IRLZ44NSPBF

PD - 9.1346BIRLZ44NHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.022 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 47ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelowest possible on-resistan

 7.2. Size:223K  international rectifier
 irlz44npbf.pdf pdf_icon

IRLZ44NSPBF

PD - 94831IRLZ44NPbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate DriveDl Advanced Process TechnologyVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.022l Fast SwitchingGl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 47ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve thelowest

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: MCH3409-TL | MCP87050 | STP85N15F4 | 4N70G-TN3-R | ISCNH340B | RU6070L | PK616BA

 

 
Back to Top

 


 
.