Справочник MOSFET. IRFL024N

 

IRFL024N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFL024N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18.3(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 13.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для IRFL024N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFL024N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  international rectifier
 irfl024n.pdf pdf_icon

IRFL024N

PD - 91861AIRFL024NHEXFET Power MOSFET Surface MountD Advanced Process TechnologyVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.075 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 2.8ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area

 ..2. Size:140K  international rectifier
 irfl024npbf.pdf pdf_icon

IRFL024N

PD - 95339IRFL024NPbFHEXFET Power MOSFETl Surface Mountl Advanced Process TechnologyDl Ultra Low On-ResistanceVDSS = 55Vl Dynamic dv/dt Ratingl Fast SwitchingRDS(on) = 0.075l Fully Avalanche RatedGl Lead-FreeID = 2.8ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resist

 0.1. Size:208K  international rectifier
 auirfl024n.pdf pdf_icon

IRFL024N

AUTOMOTIVE GRADEAUIRFL024NHEXFET Power MOSFETFeaturesDV(BR)DSS55V Advanced Planar Technology Low On-ResistanceRDS(on) max.75m Dynamic dV/dT Rating G 150C Operating TemperatureIDS 2.8A Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxD Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified*SDDescri

 7.1. Size:264K  international rectifier
 irfl024zpbf.pdf pdf_icon

IRFL024N

PD - 95312AIRFL024ZPbFHEXFET Power MOSFETFeaturesDl Advanced Process TechnologyVDSS = 55Vl Ultra Low On-Resistancel 150C Operating TemperatureRDS(on) = 57.5ml Fast SwitchingGl Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmaxl Lead-FreeID = 5.1ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve extremely low on-resistan

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFIZ34A , IRFIZ34E , IRFIZ34N , IRFIZ44A , IRFIZ44N , IRFIZ46N , IRFIZ48N , IRFL014 , 2SK3878 , IRFL1006 , IRFL110 , IRFL210 , IRFL214 , IRFL4105 , IRFL4310 , IRFL9014 , IRFL9110 .

History: STP7N20 | IRF820

 

 
Back to Top

 


 
.