IRFL024N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFL024N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для IRFL024N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFL024N даташит

 ..1. Size:110K  international rectifier
 irfl024n.pdf pdf_icon

IRFL024N

PD - 91861A IRFL024N HEXFET Power MOSFET Surface Mount D Advanced Process Technology VDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating RDS(on) = 0.075 Fast Switching G Fully Avalanche Rated ID = 2.8A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area

 ..2. Size:140K  international rectifier
 irfl024npbf.pdf pdf_icon

IRFL024N

PD - 95339 IRFL024NPbF HEXFET Power MOSFET l Surface Mount l Advanced Process Technology D l Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V l Dynamic dv/dt Rating l Fast Switching RDS(on) = 0.075 l Fully Avalanche Rated G l Lead-Free ID = 2.8A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resist

 0.1. Size:208K  international rectifier
 auirfl024n.pdf pdf_icon

IRFL024N

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFL024N HEXFET Power MOSFET Features D V(BR)DSS 55V Advanced Planar Technology Low On-Resistance RDS(on) max. 75m Dynamic dV/dT Rating G 150 C Operating Temperature ID S 2.8A Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified* S D Descri

 7.1. Size:264K  international rectifier
 irfl024zpbf.pdf pdf_icon

IRFL024N

PD - 95312A IRFL024ZPbF HEXFET Power MOSFET Features D l Advanced Process Technology VDSS = 55V l Ultra Low On-Resistance l 150 C Operating Temperature RDS(on) = 57.5m l Fast Switching G l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free ID = 5.1A S Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on- resistan

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFIZ34A, IRFIZ34E, IRFIZ34N, IRFIZ44A, IRFIZ44N, IRFIZ46N, IRFIZ48N, IRFL014, 8205A, IRFL1006, IRFL110, IRFL210, IRFL214, IRFL4105, IRFL4310, IRFL9014, IRFL9110