Справочник MOSFET. IRLR3705ZPBF

 

IRLR3705ZPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRLR3705ZPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 44 nC
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IRLR3705ZPBF

 

 

IRLR3705ZPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:340K  international rectifier
 irlr3705zpbf irlu3705zpbf.pdf

IRLR3705ZPBF IRLR3705ZPBF

PD - 95956AIRLR3705ZPbFIRLU3705ZPbFFeatures Logic Level Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceD 175C Operating TemperatureVDSS = 55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free RDS(on) = 8.0mGDescriptionID = 42AThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latest Sprocessing techniques to achieve extremel

 ..2. Size:340K  infineon
 irlr3705zpbf irlu3705zpbf.pdf

IRLR3705ZPBF IRLR3705ZPBF

PD - 95956AIRLR3705ZPbFIRLU3705ZPbFFeatures Logic Level Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceD 175C Operating TemperatureVDSS = 55V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free RDS(on) = 8.0mGDescriptionID = 42AThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latest Sprocessing techniques to achieve extremel

 5.1. Size:287K  international rectifier
 auirlr3705ztr.pdf

IRLR3705ZPBF IRLR3705ZPBF

PD - 97611AUTOMOTIVE GRADEAUIRLR3705ZFeaturesHEXFET Power MOSFET Logic Level Advanced Process TechnologyDV(BR)DSS 55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating Temperature RDS(on) max.8.0m Fast SwitchingGID (Silicon Limited)89A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant SID (Package Limited)42A Automotiv

 5.2. Size:670K  infineon
 auirlr3705z.pdf

IRLR3705ZPBF IRLR3705ZPBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRLR3705Z Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Logic-Level VDSS 55V Ultra Low On-Resistance RDS(on) max. 8.0m 175C Operating Temperature Fast Switching ID (Silicon Limited) 89A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant ID (Package Limited) 42A Automotive Quali

 5.3. Size:242K  inchange semiconductor
 irlr3705z.pdf

IRLR3705ZPBF IRLR3705ZPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLR3705Z, IIRLR3705ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)8.0mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 55 VDSSV Ga

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top