IRLR8256PBF - описание и поиск аналогов

 

IRLR8256PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRLR8256PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 81 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 453 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IRLR8256PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLR8256PBF даташит

 ..1. Size:284K  international rectifier
 irlr8256pbf.pdf pdf_icon

IRLR8256PBF

PD - 96208A IRLR8256PbF IRLU8256PbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power VDSS RDS(on) max Qg l High Frequency Isolated DC-DC 25V 5.7m 10nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use D Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS S S l Ultra-Low Gate Impedance D G G l Fully Char

 ..2. Size:284K  international rectifier
 irlu8256pbf irlr8256pbf.pdf pdf_icon

IRLR8256PBF

PD - 96208A IRLR8256PbF IRLU8256PbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power VDSS RDS(on) max Qg l High Frequency Isolated DC-DC 25V 5.7m 10nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use D Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS S S l Ultra-Low Gate Impedance D G G l Fully Char

 6.1. Size:242K  inchange semiconductor
 irlr8256.pdf pdf_icon

IRLR8256PBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLR8256, IIRLR8256 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 5.7m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High efficiency ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 25 V DSS V Gat

 7.1. Size:363K  international rectifier
 irlu8259pbf irlr8259pbf.pdf pdf_icon

IRLR8256PBF

PD - 97360 IRLR8259PbF IRLU8259PbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power VDSS RDS(on) max Qg l High Frequency Isolated DC-DC 25V 8.7m 6.8nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use D Benefits S S l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS D G G l Ultra-Low Gate Impedance l Fully

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRLU8726PBF , IRLU8729PBF , IRLU8743PBF , IRLU9343-701 , IRLR8203PBF , IRLR8103 , IRLR8103VPBF , IRLR8113PBF , 2N60 , IRLR8259PBF , IRLR8503 , IRLR8503PBF , IRLR8715CPBF , IRLR8721PBF , IRLR8721PBF-1 , IRLR8726PBF , IRLR8729PBF .

History: 2SK2020-01 | 2N65G-TM3-T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.