IRLU2703PBF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRLU2703PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для IRLU2703PBF
IRLU2703PBF Datasheet (PDF)
irlu2703pbf irlr2703pbf.pdf

PD- 95083AIRLR/U2703PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Ultra Low On-Resistance DVDSS = 30Vl Surface Mount (IRLR2703)l Straight Lead (IRLU2703)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.045Gl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedID = 23ASl Lead-FreeDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing te
irlr2703 irlu2703.pdf

PD- 95083AIRLR/U2703PbFHEXFET Power MOSFETl Logic-Level Gate Drivel Ultra Low On-Resistance DVDSS = 30Vl Surface Mount (IRLR2703)l Straight Lead (IRLU2703)l Advanced Process TechnologyRDS(on) = 0.045Gl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedID = 23ASl Lead-FreeDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing te
irlu2703.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IRLU2703FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN
irlr2705pbf irlu2705pbf.pdf

PD - 95062AIRLR2705PbFIRLU2705PbFl Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl Surface Mount (IRLR2705)VDSS = 55Vl Straight Lead (IRLU2705)l Advanced Process Technologyl Fast Switching RDS(on) = 0.040Gl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 28ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedp
Другие MOSFET... IRLR8721PBF , IRLR8721PBF-1 , IRLR8726PBF , IRLR8729PBF , IRLR8729PBF-1 , IRLR8743PBF , IRLR9343PBF , IRLU9343PBF , MMD60R360PRH , IRLU2705PBF , IRLU2905ZPBF , IRLU3103PBF , IRLU3110ZPBF , IRLU3114ZPBF , IRLU3303PBF , IRLU3410PBF , IRLU3636PBF .
History: LNN06R062 | IRLU3705Z | 2SJ187 | LSD60R170GT
History: LNN06R062 | IRLU3705Z | 2SJ187 | LSD60R170GT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP90N02NF | AP90N02D | AP8V06S | AP8P04S | AP8P04MI | AP8N10MI | AP8N06SI | AP8H06S | AP8H04S | AP8H04DF | AP8814A | AP85N04NF | AP8205S | AP8205A-21 | AP80P10D | AP50N20MP
Popular searches
d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet