IRLML5203PBF-1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRLML5203PBF-1
Маркировка: H*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 9.5 nC
Время нарастания (tr): 18 ns
Выходная емкость (Cd): 71 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.098 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для IRLML5203PBF-1
IRLML5203PBF-1 Datasheet (PDF)
irlml5203pbf-1.pdf
IRLML5203PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS -30 VRDS(on) max 98G 1(@V = -10V)GSmRDS(on) max 165 3 D(@V = -4.5V)GSQg (typical) 9.5 nCS 2ID -3.0 A Micro3TM(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SOT-23 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Compliant, Halogen-Free Env
irlml5203pbf.pdf
IRLML5203PbFl Ultra Low On-ResistanceHEXFET Power MOSFETl P-Channel MOSFETVDSS RDS(on) max (mW) IDl Surface Mountl Available in Tape & Reel-30V 98@VGS = -10V -3.0Al Low Gate Charge165@VGS = -4.5V -2.6Al Lead-Freel RoHS Compliant, Halogen-FreeDescriptionG 1These P-channel MOSFETs from International Rectifier utilizeadvanced processing techniques to achieve the ext
irlml5203pbf.pdf
IRLML5203PbFl Ultra Low On-ResistanceHEXFET Power MOSFETl P-Channel MOSFETVDSS RDS(on) max (mW) IDl Surface Mountl Available in Tape & Reel-30V 98@VGS = -10V -3.0Al Low Gate Charge165@VGS = -4.5V -2.6Al Lead-Freel RoHS Compliant, Halogen-FreeDescriptionG 1These P-channel MOSFETs from International Rectifier utilizeadvanced processing techniques to achieve the ext
irlml5203pbf.pdf
Product specificationIRLML5203PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max (mW) IDl P-Channel MOSFET-30V 98@VGS = -10V -3.0Al Surface Mount165@VGS = -4.5V -2.6Al Available in Tape & Reell Low Gate Chargel Lead-Freel Halogen-FreeDescriptionThese P-channel MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve the
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: AFP2337A
History: AFP2337A
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C