IRFI510GPBF - описание и поиск аналогов

 

IRFI510GPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFI510GPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.54 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFI510GPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI510GPBF даташит

 ..1. Size:1038K  vishay
 irfi510g irfi510gpbf sihfi510g.pdf pdf_icon

IRFI510GPBF

IRFI510G, SiHFI510G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.54 RoHS* COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 8.3 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 2.3 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 3.8 Low

 6.1. Size:159K  international rectifier
 irfi510g.pdf pdf_icon

IRFI510GPBF

Document Number 90178 www.vishay.com 563 Document Number 90178 www.vishay.com 564 Document Number 90178 www.vishay.com 565 Document Number 90178 www.vishay.com 566 Document Number 90178 www.vishay.com 567 Document Number 90178 www.vishay.com 568 Legal Disclaimer Notice Vishay Notice The products described herein were acquired by Vishay Intertechnology, Inc., as part o

 6.2. Size:1040K  vishay
 irfi510g sihfi510g.pdf pdf_icon

IRFI510GPBF

IRFI510G, SiHFI510G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.54 RoHS* COMPLIANT Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 8.3 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 2.3 Dynamic dV/dt Rating Qgd (nC) 3.8 Low

 6.3. Size:274K  inchange semiconductor
 irfi510g.pdf pdf_icon

IRFI510GPBF

iscN-Channel MOSFET Transistor IRFI510G FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(ON) =0.54 (MAX) Enhancement mode Vth = 2 to 4V (VDS = 10 V, ID=0.25mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFI4110GPBF , IRFI4227PBF , IRFI4228PBF , IRFI4229PBF , IRFI4321PBF , IRFI4410ZGPBF , IRFI4410ZPBF , IRFI510G , IRF630 , IRFI520G , IRFI520GPBF , IRFI530G , IRFI530GPBF , IRFI530NPBF , IRFI540G , IRFI540GPBF , IRFI540NPBF .

History: MTM76123

 

 

 

 

↑ Back to Top
.