Справочник MOSFET. IRFI9610GPBF

 

IRFI9610GPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFI9610GPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для IRFI9610GPBF

 

 

IRFI9610GPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  international rectifier
 irfi9610gpbf.pdf

IRFI9610GPBF IRFI9610GPBF

PD - 95504IRFI9610GPbFHEXFET Power MOSFETl Isolated PackageDl High Voltage Isolation=2.5KVRMS VDSS = -200Vl Sink to Lead Creepage Dist.=4.8mml P-ChannelRDS(on) = 3.0l Dynamic dv/dt RatingGl Low thermal ResistanceID = -2.0Al Lead-FreeSDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with thebest combination of fast

 5.1. Size:170K  international rectifier
 irfi9610g.pdf

IRFI9610GPBF IRFI9610GPBF

PD - 94577IRFI9610GHEXFET Power MOSFETl Isolated PackageDl High Voltage Isolation=2.5KVRMS VDSS = -200Vl Sink to Lead Creepage Dist.=4.8mml P-ChannelRDS(on) = 3.0l Dynamic dv/dt RatingGl Low thermal ResistanceID = -2.0ASDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with thebest combination of fast switching, rugge

 5.2. Size:814K  vishay
 irfi9610g sihfi9610g.pdf

IRFI9610GPBF IRFI9610GPBF

IRFI9610G, SiHFI9610GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 3.0f = 60 Hz)RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm COMPLIANTQg (Max.) (nC) 13 P-ChannelQgs (nC) 3.2 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 7.3 Low Thermal Resista

 5.3. Size:790K  vishay
 irfi9610g-pbf sihfi9610g.pdf

IRFI9610GPBF IRFI9610GPBF

IRFI9610G, SiHFI9610GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 3.0f = 60 Hz)RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm COMPLIANTQg (Max.) (nC) 13 P-ChannelQgs (nC) 3.2 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 7.3 Low Thermal Resista

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top