Справочник MOSFET. IRFI9610GPBF

 

IRFI9610GPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFI9610GPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFI9610GPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI9610GPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:232K  international rectifier
 irfi9610gpbf.pdf pdf_icon

IRFI9610GPBF

PD - 95504IRFI9610GPbFHEXFET Power MOSFETl Isolated PackageDl High Voltage Isolation=2.5KVRMS VDSS = -200Vl Sink to Lead Creepage Dist.=4.8mml P-ChannelRDS(on) = 3.0l Dynamic dv/dt RatingGl Low thermal ResistanceID = -2.0Al Lead-FreeSDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with thebest combination of fast

 5.1. Size:170K  international rectifier
 irfi9610g.pdf pdf_icon

IRFI9610GPBF

PD - 94577IRFI9610GHEXFET Power MOSFETl Isolated PackageDl High Voltage Isolation=2.5KVRMS VDSS = -200Vl Sink to Lead Creepage Dist.=4.8mml P-ChannelRDS(on) = 3.0l Dynamic dv/dt RatingGl Low thermal ResistanceID = -2.0ASDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with thebest combination of fast switching, rugge

 5.2. Size:814K  vishay
 irfi9610g sihfi9610g.pdf pdf_icon

IRFI9610GPBF

IRFI9610G, SiHFI9610GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 3.0f = 60 Hz)RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm COMPLIANTQg (Max.) (nC) 13 P-ChannelQgs (nC) 3.2 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 7.3 Low Thermal Resista

 5.3. Size:790K  vishay
 irfi9610g-pbf sihfi9610g.pdf pdf_icon

IRFI9610GPBF

IRFI9610G, SiHFI9610GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) - 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = - 10 V 3.0f = 60 Hz)RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm COMPLIANTQg (Max.) (nC) 13 P-ChannelQgs (nC) 3.2 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 7.3 Low Thermal Resista

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFI840GLCPBF , IRFI840GPBF , IRFI9520G , IRFI9520GPBF , IRFI9530GPBF , IRFI9540G , IRFI9540GPBF , IRFI9610G , 20N50 , IRFI9620GPBF , IRFI9630GPBF , IRFI9634GPBF , IRFI9640GPBF , IRFI9Z14G , IRFI9Z14GPBF , IRFI9Z24G , IRFI9Z24GPBF .

History: P3606BEA | KI5404BDC | TK4P60D | AOB482L | GM3402 | FCP125N65S3 | KHB2D0N60F

 

 
Back to Top

 


 
.