IRL7833PBF - описание и поиск аналогов

 

IRL7833PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRL7833PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IRL7833PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL7833PBF даташит

 ..1. Size:269K  international rectifier
irl7833pbf irl7833lpbf irl7833spbf.pdfpdf_icon

IRL7833PBF

PD - 95270 IRL7833PbF IRL7833SPbF IRL7833LPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Frequency Synchronous Buck VDSS RDS(on) max Qg Converters for Computer Processor Power l High Frequency Isolated DC-DC 30V 3.8m 32nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Consumer Use l Lead-Free Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Ultra-Low Gate Impedance TO-220A

 ..2. Size:269K  international rectifier
irl7833pbf irl7833spbf irl7833lpbf.pdfpdf_icon

IRL7833PBF

PD - 95270 IRL7833PbF IRL7833SPbF IRL7833LPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High Frequency Synchronous Buck VDSS RDS(on) max Qg Converters for Computer Processor Power l High Frequency Isolated DC-DC 30V 3.8m 32nC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Consumer Use l Lead-Free Benefits l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS l Ultra-Low Gate Impedance TO-220A

 7.1. Size:246K  inchange semiconductor
irl7833.pdfpdf_icon

IRL7833PBF

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IRL7833 IIRL7833 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 3.8m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM R

 7.2. Size:270K  inchange semiconductor
irl7833s.pdfpdf_icon

IRL7833PBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRL7833S DESCRIPTION Static drain-source on-resistance RDS(on) 3.8m @V = 10V GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS . Provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATING

Другие MOSFET... IRLB4030PBF , IRLB8314PBF , IRLB8721PBF , IRLB8743PBF , IRLB8748PBF , IRL7472L1TRPBF , IRL7486MTRPBF , IRL7833LPBF , IRFB7545 , IRL7833SPBF , IRL620PBF , IRL620SPBF , IRL6283M , IRL6297SDPBF , IRL630PBF , IRL630SPBF , IRL6342PBF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.